參數資料
型號： M36DR232
廠商： 意法半導體
英文描述： 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 2 Mbit 128K x16 SRAM, Multiple Memory Product
中文描述： 32兆位的2Mb x16插槽，雙行，頁閃存和2兆位128K的x16的SRAM，多個存儲產品
文件頁數： 29/46頁
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代理商： M36DR232
29/46
M36D232A, M36DR232B
Table 27. Flash Write AC Characteristics, Chip Enable Controlled
(T
A
= –40 to 85 °C; V
DDF
= 1.65V to 2.2V)
Figure 10. Flash Write AC Waveforms, EF Controlled
Note: Address are latched on the falling edge of EF, Data is latched on the rising edge of EF.
Symbol
Alt
Parameter
Flash
Unit
100
120
Min
Max
Min
Max
t
AVAV
t
WC
Address Valid to Next Address Valid
100
120
ns
t
AVEL
t
AS
Address Valid to Chip Enable Low
0
0
ns
t
DVEH
t
DS
Input Valid to Chip Enable High
50
50
ns
t
EHDX
t
DH
Chip Enable High to Input Transition
0
0
ns
t
EHEL
t
CPH
Chip Enable High to Chip Enable Low
30
30
ns
t
EHGL
t
OEH
Chip Enable High to Output Enable Low
30
30
ns
t
EHWH
t
WH
Chip Enable High to Write Enable High
0
0
ns
t
ELAX
t
AH
Chip Enable Low to Address Transition
50
50
ns
t
ELEH
t
CP
Chip Enable Low to Chip Enable High
50
50
ns
t
GHEL
Output Enable High Chip Enable Low
0
0
ns
t
PLQ7V
RPF Low to Reset Complete During Program/Erase
15
15
μs
t
VDHWL
t
VCS
V
CCF
High to Write Enable Low
50
50
μs
t
WLEL
t
WS
Write Enable Low to Chip Enable Low
0
0
ns
AI90211
EF
GF
WF
A0-A20
DQ0-DQ15
VALID
VALID
VDDF
tVDHWL
tEHWH
tEHEL
tWLEL
tAVEL
tEHGL
tELAX
tEHDX
tAVAV
tDVEH
tELEH
tGHEL
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PDF描述
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