- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄373155 > KM416S1020C (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) 512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM(512K x 16位 x 2組同步動態(tài)RAM) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | KM416S1020C |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM(512K x 16位 x 2組同步動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 為512k × 16 × 2銀行同步DRAM（為512k × 16位× 2組同步動態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 8/42頁 |
| 文件大?。?/td> | 582K |
| 代理商： | KM416S1020C |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁當前第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁
KM416S1020C
CMOS SDRAM
- 9 -
Rev. 0.4 (Apr. 1998)
FREQUENCY vs. AC PARAMETER RELATIONSHIP TABLE
KM416S1020CT-8
Frequency
CAS
Latency
3
3
2
2
2
t
RC
68ns
9
7
6
6
5
t
RAS
48ns
6
5
4
4
4
t
RP
20ns
3
2
2
2
2
t
RRD
16ns
2
2
2
2
2
t
RCD
20ns
3
2
2
2
2
t
CCD
8ns
1
1
1
1
1
t
CDL
8ns
1
1
1
1
1
t
RDL
8ns
1
1
1
1
1
125MHz (8.0ns)
100MHz (10.0ns)
83MHz (12.0ns)
75MHz (13.0ns)
66MHz (15.0ns)
(Unit : Number of clock)
t
CDL
7ns
1
1
1
1
1
1
KM416S1020CT-L
Frequency
CAS
Latency
3
2
2
2
2
t
RC
70ns
7
6
6
5
5
t
RAS
50ns
5
5
4
4
3
t
RP
20ns
2
2
2
2
2
t
RRD
20ns
2
2
2
2
2
t
RCD
20ns
2
2
2
2
2
t
CCD
10ns
1
1
1
1
1
t
CDL
10ns
1
1
1
1
1
t
RDL
10ns
1
1
1
1
1
100MHz (10.0ns)
83MHz (12.0ns)
75MHz (13.0ns)
66MHz (15.0ns)
60MHz (16.7ns)
KM416S1020CT-H
Frequency
CAS
Latency
2
2
2
2
2
t
RC
70ns
7
6
6
5
5
t
RAS
50ns
5
5
4
4
3
t
RP
20ns
2
2
2
2
2
t
RRD
20ns
2
2
2
2
2
t
RCD
20ns
2
2
2
2
2
t
CCD
10ns
1
1
1
1
1
t
CDL
10ns
1
1
1
1
1
t
RDL
10ns
1
1
1
1
1
100MHz (10.0ns)
83MHz (12.0ns)
75MHz (13.0ns)
66MHz (15.0ns)
60MHz (16.7ns)
KM416S1020CT-10
Frequency
CAS
Latency
3
3
2
2
2
t
RC
80ns
8
7
7
6
5
t
RAS
50ns
5
5
4
4
3
t
RP
26ns
3
3
2
2
2
t
RRD
20ns
2
2
2
2
2
t
RCD
26ns
3
3
2
2
2
t
CCD
10ns
1
1
1
1
1
t
CDL
10ns
1
1
1
1
1
t
RDL
12ns
2
1
1
1
1
100MHz (10.0ns)
83MHz (12.0ns)
75MHz (13.0ns)
66MHz (15.0ns)
60MHz (16.7ns)
KM416S1020CT-7
Frequency
CAS
Latency
3
3
3
2
2
2
t
RC
70ns
10
9
7
6
6
5
t
RAS
49ns
7
7
5
5
4
4
t
RP
21ns
3
3
3
2
2
2
t
RRD
14ns
2
2
2
2
2
1
t
RCD
21ns
3
3
3
2
2
2
t
CCD
7ns
1
1
1
1
1
1
t
RDL
7ns
1
1
1
1
1
1
143MHz (7.0ns)
125MHz (8.0ns)
100MHz (10.0ns)
83MHz (12.0ns)
75MHz (13.0ns)
66MHz (15.0ns)
(Unit : Number of clock)
(Unit : Number of clock)
(Unit : Number of clock)
(Unit : Number of clock)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM416S1021C | 512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM with SSTL interfacer(512K x 16位 x 2組同步動態(tài)RAM（帶SSTL接口）) |
| KM416S4020B | 2M x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM(2M x 16位 x2組同步動態(tài)RAM) |
| KM416S4021B | 2M x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM(2M x 16位 x2組同步動態(tài)RAM) |
| KM416S4030B | 1M x 16Bitx 4 Banks Synchronous DRAM(1M x 16位 x4組同步動態(tài)RAM) |
| KM416S4031B | 1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM with SSTL interface(1M x 16位 x4組同步動態(tài)RAM（帶SSTL接口）) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM416S1020CTG10 | 制造商:n/a 功能描述:KM416S1020CT-G10 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| KM416S1020CT-G10 | 制造商:n/a 功能描述:KM416S1020CT-G10 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| KM416S1020CT-G10M | 制造商:MAJOR 功能描述: |
| KM416S1021C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM with SSTL interface |
| KM416S1021CT-G7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM with SSTL interface |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。