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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KM416S1020C |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM(512K x 16位 x 2組同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 為512k × 16 × 2銀行同步DRAM（為512k × 16位× 2組同步動(dòng)態(tài)RAM）的 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 19/42頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 582K |
| 代理商： | KM416S1020C |
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CMOS SDRAM
DEVICE OPERATIONS - I
ELECTRONICS
REV. 4 Feb. '98
*Note :
1. t
RDL
: Last data in to row precharge delay
2. Number of valid output data after row precharge : 0, 1, 2 for CAS Latency =1, 2, 3 respectively.
3. The row active command of the precharge bank can be issued after t
The new read/write command of the other activated bank can be issued from this point.
At burst read/write with auto precharge, CAS interrupt of the same/other bank is illegal.
RP
from this point.
6. Precharge
D
0
D
1
D
2
CLK
CMD
DQ
WR
PRE
D
3
1) Normal Write (BL=4)
tRDL
Note 2
2) Normal Read (BL=4)
CLK
CMD
DQ(CL2)
DQ(CL3)
RD
PRE
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
1
2
Note 2
7. Auto Precharge
D
0
D
1
D
2
CLK
CMD
DQ
WR
D
3
1) Normal Write (BL=4)
Note 3
Auto Precharge Starts
2) Normal Read (BL=4)
CLK
CMD
DQ(CL2)
DQ(CL3)
RD
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
Note 3
Auto Precharge Starts
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM416S1021C | 512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM with SSTL interfacer(512K x 16位 x 2組同步動(dòng)態(tài)RAM（帶SSTL接口）) |
| KM416S4020B | 2M x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM(2M x 16位 x2組同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| KM416S4021B | 2M x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM(2M x 16位 x2組同步動(dòng)態(tài)RAM) |
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| KM416S4031B | 1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM with SSTL interface(1M x 16位 x4組同步動(dòng)態(tài)RAM（帶SSTL接口）) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| KM416S1021CT-G7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM with SSTL interface |
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