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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KM416S1020C |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM(512K x 16位 x 2組同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 為512k × 16 × 2銀行同步DRAM（為512k × 16位× 2組同步動(dòng)態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 36/42頁 |
| 文件大?。?/td> | 582K |
| 代理商： | KM416S1020C |
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TIMING DIAGRAM - I
CMOS SDRAM
ELECTRONICS
REV. 4 Nov. '97
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Clock Suspension & DQM Operation Cycle @CAS Latency=2, Burst Length=4
Row Active
Clock
Suspension
Read
Write
DQM
: Don't care
Clock
Suspension
Read
*Note 1
tSHZ
tSHZ
Write
DQM
Write
Read DQM
*Note :
1. DQM is needed to prevent bus contention.
BA
DQ
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
DQM
A
10
/AP
Ra
Ca
Cb
Cc
Dc2
Dc0
Qb1
Qb0
Qa3
Qa2
Qa1
Qa0
Ra
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM416S1021C | 512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM with SSTL interfacer(512K x 16位 x 2組同步動(dòng)態(tài)RAM（帶SSTL接口）) |
| KM416S4020B | 2M x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM(2M x 16位 x2組同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| KM416S4021B | 2M x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM(2M x 16位 x2組同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| KM416S4030B | 1M x 16Bitx 4 Banks Synchronous DRAM(1M x 16位 x4組同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| KM416S4031B | 1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM with SSTL interface(1M x 16位 x4組同步動(dòng)態(tài)RAM（帶SSTL接口）) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM416S1020CTG10 | 制造商:n/a 功能描述:KM416S1020CT-G10 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| KM416S1020CT-G10 | 制造商:n/a 功能描述:KM416S1020CT-G10 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| KM416S1020CT-G10M | 制造商:MAJOR 功能描述: |
| KM416S1021C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM with SSTL interface |
| KM416S1021CT-G7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM with SSTL interface |
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