參數(shù)資料
型號(hào)： HYB18T512800AF-3
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 512-Mbit DDR2 SDRAM
中文描述： 512兆位DDR2 SDRAM的
文件頁數(shù)： 87/117頁
文件大?。?/td> 2102K
代理商： HYB18T512800AF-3
Data Sheet
87
Rev. 1.3, 2005-01
09112003-SDM9-IQ3P
HYB18T512[40/80/16]0AF–[3/3S/3.7/5]
512-Mbit DDR2 SDRAM
AC & DC Operating Conditions
Figure 68
Reduced Strength Default Pull-up Driver Diagram
Table 39
Voltage (V)
Reduced Strength Default Pull–down Driver Characteristics
Pull-down Driver Current [mA]
Min.
1)
IBIS Target low
2)
0.00
0.00
1.72
3.24
3.44
6.25
5.16
9.03
6.76
11.52
8.02
13.66
8.84
15.41
9.31
16.77
9.64
17.74
9.89
18.83
10.09
18.80
10.26
19.06
10.41
19.23
10.54
19.35
10.66
19.46
10.77
19.56
10.88
19.65
10.98
19.73
—
19.80
—
—
1) The driver characteristics evaluation conditions are Minimum 95 °C (
T
CASE
),
V
DDQ
= 1.7 V, slow-slow process
2) The driver characteristics evaluation conditions are Nominal Default 25 °C (
T
CASE
),
V
DDQ
= 1.8 V, typical process
3) The driver characteristics evaluation conditions are Maximum 0 °C (
T
CASE
).
V
DDQ
= 1.9 V, fast-fast process
IBIS Target high
2)
0.00
4.11
8.01
11.67
15.03
18.03
20.61
22.71
24.35
25.56
26.38
26.90
27.24
27.47
27.64
27.78
27.89
27.97
28.02
—
Max.
3)
0.00
4.77
9.54
14.31
19.08
23.85
28.62
33.33
37.77
41.73
45.21
48.21
50.73
52.77
54.42
55.80
57.03
58.23
59.43
60.63
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
-80,00
-60,00
-40,00
-20,00
0,00
0
0,2
0,4
0,6
0,8
1
1,2
1,4
1,6
1,8
2
VDDQ to VOUT (V)
P
Minimum
IBIS Target Low
IBIS Target High
Maximum
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB18T512800AF-3.7 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512800AF-3S 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512800AC-37 M39012 MIL RF CONNECTOR
HYB18T512800AC-5 M39012 MIL RF CONNECTOR
HYB18T512800AC DDR2 Registered Memory Modules
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參數(shù)描述
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HYB25D128160AT-6 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:128 Mbit Double Data Rate SDRAM
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