參數(shù)資料
型號： HYB18T512800AF-3
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 512-Mbit DDR2 SDRAM
中文描述： 512兆位DDR2 SDRAM的
文件頁數(shù)： 32/117頁
文件大小： 2102K
代理商： HYB18T512800AF-3
HYB18T512[40/80/16]0AF–[3/3S/3.7/5]
512-Mbit DDR2 SDRAM
Functional Description
Data Sheet
32
Rev. 1.3, 2005-01
09112003-SDM9-IQ3P
A13
13
w
Address Bus[13]
Note:A13 is not available for 256 Mbit and x16 512 Mbit configuration
0
B
Output Disable
0
B
QOff
, Output buffers enabled
1
B
QOff
, Output buffers disabled
Read Data Strobe Output (RDQS, RDQS)
0
B
RDQS
, Disable
1
B
RDQS
, Enable
Complement Data Strobe (DQS Output)
0
B
DQS
, Enable
1
B
DQS
, Disable
Off-Chip Driver Calibration Program
000
B
OCD
, OCD calibration mode exit, maintain setting
001
B
OCD
, Drive (1)
010
B
OCD
, Drive (0)
100
B
OCD
, Adjust mode
111
B
OCD
, OCD calibration default
Additive Latency
Note:All other bit combinations are illegal.
A13
, Address bit 13
Qoff
12
RDQS
11
DQS
10
OCD
Program
[9:7]
AL
[5:3]
000
B
AL
, 0
001
B
AL
, 1
010
B
AL
, 2
011
B
AL
, 3
100
B
AL
, 4
101
B
AL
, 5
Nominal Termination Resistance of ODT
00
B
RTT
,
∞
(ODT disabled)
01
B
RTT
, 75 Ohm
10
B
RTT
, 150 Ohm
11
B
RTT
, 50 Ohm
2)
Off-chip Driver Impedance Control
0
B
DIC
, Full (Driver Size = 100%)
1
B
DIC
, Reduced
DLL Enable
0
B
DLL
, Enable
1
B
DLL
, Disable
R
TT
2,6
DIC
1
DLL
0
1) w = write only register bits
2) optional for DDR2-400/533 & 667
Table 9
Extended Mode Register Definition (BA[2:0] = 001B)
Field
Bits
Type
1)
Description
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB18T512800AF-3.7 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512800AF-3S 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512800AC-37 M39012 MIL RF CONNECTOR
HYB18T512800AC-5 M39012 MIL RF CONNECTOR
HYB18T512800AC DDR2 Registered Memory Modules
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYB18T512800AF-3S 制造商:Qimonda 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:32M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84
HYB18T512800BF-2.5 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T512800BF-3.7 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T512800BF-3S 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
HYB25D128160AT-6 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:128 Mbit Double Data Rate SDRAM
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