參數資料
型號： HYB18T512800AF-3
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 512-Mbit DDR2 SDRAM
中文描述： 512兆位DDR2 SDRAM的
文件頁數： 51/117頁
文件大?。?/td> 2102K
代理商： HYB18T512800AF-3
Data Sheet
51
Rev. 1.3, 2005-01
09112003-SDM9-IQ3P
HYB18T512[40/80/16]0AF–[3/3S/3.7/5]
512-Mbit DDR2 SDRAM
Functional Description
Figure 26
Read Operation Example 2
RL = 3 (AL = 0, CL = 3, BL = 8)
Figure 27
Read followed by Write Example
RL = 5, WL = (RL-1) = 4, BL = 4
The minimum time from the read command to the write command is defined by a read-to-write turn-around time,
which is BL/2 + 2 clocks.
CMD
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
DQ's
NOP
READ A
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
Dout A0
Dout A1
Dout A2
Dout A3
RL = 3
CL = 3
NOP
<= tDQSCK
BRead303
DQS,
DQS
Dout A4
Dout A5
Dout A6
Dout A7
CK, CK
NOP
Posted CAS
W RITE A
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
READ A
Posted CAS
T0
T1
Dout A0
Dout A1
Dout A2
Dout A3
RL = 5
NOP
CMD
DQ
BRBW514
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
Din A0
Din A1
Din A2
Din A3
DQS,
DQS
WL = RL - 1 = 4
BL/2 + 2
CK, CK
相關PDF資料
PDF描述
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HYB18T512800AF-3S 512-Mbit DDR2 SDRAM
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參數描述
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