參數(shù)資料
型號： HYB18T512800AF-3
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 512-Mbit DDR2 SDRAM
中文描述： 512兆位DDR2 SDRAM的
文件頁數(shù)： 86/117頁
文件大?。?/td> 2102K
代理商： HYB18T512800AF-3
HYB18T512[40/80/16]0AF–[3/3S/3.7/5]
512-Mbit DDR2 SDRAM
AC & DC Operating Conditions
Data Sheet
86
Rev. 1.3, 2005-01
09112003-SDM9-IQ3P
5.6
Reduced Output Drive Characteristics
A driver mode with reduced output drive characteristics can be selected by setting address bit A1 in the EMRS(1)
extended mode register to 1.
Table 38
Voltage (V)
Reduced Strength Default Pull-up Driver Characteristics
Pull-up Driver Current [mA]
Min.
1)
IBIS Target low
2)
0.00
0.00
–1.72
–3.20
–3.44
–6.20
–5.16
–9.04
–6.76
–11.69
–8.02
–14.11
–8.84
–16.27
–9.31
–18.16
–9.64
–19.77
–9.89
–21.10
–10.09
–22.15
–10.26
–22.96
–10.41
–23.61
–10.54
–24.61
–10.66
–24.64
–10.77
–25.07
–10.88
–25.47
–10.98
–25.85
—
–26.21
—
—
1) The driver characteristics evaluation conditions are Minimum 95 °C (
T
CASE
),
V
DDQ
= 1.7 V, slow–slow process
2) The driver characteristics evaluation conditions are Nominal Default 25 °C (
T
CASE
),
V
DDQ
= 1.8 V, typical process
3) The driver characteristics evaluation conditions are Maximum 0 °C (
T
CASE
).
V
DDQ
= 1.9 V, fast–fast process
IBIS Target high
2)
0.00
–3.70
–7.22
–10.56
–13.75
–16.78
–19.61
–22.20
–24.50
–26.46
–28.07
–29.36
–30.40
–31.24
–31.93
–32.51
–33.01
–33.46
–33.89
—
Max.
3)
0.00
–4.77
–9.54
–14.31
–19.08
–23.85
–28.62
–33.33
–37.77
–41.73
–45.21
–48.21
–50.73
–52.77
–54.42
–55.80
–57.03
–58.23
–59.43
–60.63
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB18T512800AF-3.7 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512800AF-3S 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512800AC-37 M39012 MIL RF CONNECTOR
HYB18T512800AC-5 M39012 MIL RF CONNECTOR
HYB18T512800AC DDR2 Registered Memory Modules
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參數(shù)描述
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HYB18T512800BF-3S 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
HYB25D128160AT-6 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:128 Mbit Double Data Rate SDRAM
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