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參數資料
| 型號： | HYB18T512800AF-3 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 512兆位DDR2 SDRAM的 |
| 文件頁數： | 10/117頁 |
| 文件大?。?/td> | 2102K |
| 代理商： | HYB18T512800AF-3 |
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HYB18T512[40/80/16]0AF–[3/3S/3.7/5]
512-Mbit DDR2 SDRAM
Data Sheet
10
Rev. 1.3, 2005-01
09112003-SDM9-IQ3P
Figure 54
Figure 55
Figure 56
Figure 57
Figure 58
Figure 59
Figure 60
Figure 61
Figure 62
Figure 63
Figure 64
Figure 65
Figure 66
Figure 67
Figure 68
Figure 69
Figure 70
Figure 71
Figure 72
Figure 73
Figure 74
Figure 75
Figure 76
Figure 77
Figure 78
Figure 79
Self Refresh Timing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
Active Power-Down Mode Entry and Exit after an Activate Command . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70
Active Power-Down Mode Entry and Exit Example after a Read Command . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
Active Power-Down Mode Entry and Exit Example after a Write Command . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
Active Power-Down Mode Entry and Exit Example after a Write Command with AP . . . . . . . . . . 72
Precharge Power Down Mode Entry and Exit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72
Auto-Refresh command to Power-Down entry. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73
MRS, EMRS command to Power-Down entry . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73
Input Frequency Change Example during Precharge Power-Down mode. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
Asynchronous Low Reset Event. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
Single-ended AC Input Test Conditions Diagram. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79
Differential DC and AC Input and Output Logic Levels Diagram . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80
Full Strength Default Pull-up Driver Diagram . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83
Full Strength Default Pull–down Driver Diagram . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84
Reduced Strength Default Pull-up Driver Diagram. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 87
Reduced Strength Default Pull–down Driver Diagram . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88
AC Overshoot / Undershoot Diagram for Address and Control Pins . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90
AC Overshoot / Undershoot Diagram for Clock, Data, Strobe and Mask Pins. . . . . . . . . . . . . . . . 90
Reference Load for Timing Measurements . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 105
Input Setup and Hold Time . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106
Data Setup and Hold Time (Differential Data Strobes) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106
Data Setup and Hold Time (Single Ended Data Strobes) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 107
Slew Rate Definition Nominal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 108
Slew Rate Definition Tangent . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 109
Package Pinout PG-TFBGA-60 (top view) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 114
Package Pinout PG-TFBGA-84 (top view) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 115
List of Figures
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB18T512800AF-3.7 | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512800AF-3S | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512800AC-37 | M39012 MIL RF CONNECTOR |
| HYB18T512800AC-5 | M39012 MIL RF CONNECTOR |
| HYB18T512800AC | DDR2 Registered Memory Modules |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HYB18T512800AF-3S | 制造商:Qimonda 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:32M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84 |
| HYB18T512800BF-2.5 | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應商設備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) |
| HYB18T512800BF-3.7 | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應商設備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
| HYB18T512800BF-3S | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應商設備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR) |
| HYB25D128160AT-6 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:128 Mbit Double Data Rate SDRAM |
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