參數資料
型號： HYB18T512800AF-3
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 512-Mbit DDR2 SDRAM
中文描述： 512兆位DDR2 SDRAM的
文件頁數： 40/117頁
文件大?。?/td> 2102K
代理商： HYB18T512800AF-3
HYB18T512[40/80/16]0AF–[3/3S/3.7/5]
512-Mbit DDR2 SDRAM
Functional Description
Data Sheet
40
Rev. 1.3, 2005-01
09112003-SDM9-IQ3P
ODT Truth Tables
The ODT Truth Table shows which of the input pins are
terminated depending on the state of address bit A10
and A11 in the EMRS(1) for all three device
organisations (
×
4,
×
8 and
×
16). To activate termination
of any of these pins, the ODT function has to be
enabled in the EMRS(1) by address bits A6 and A2.
Note:X = don’t care; 0 = bit set to low; 1 = bit set to high
Table 15
Input Pin
ODT Truth Table
EMRS(1)
Address Bit A10
EMRS(1)
Address Bit A11
x4 components
DQ[3:0]
DQS
DQS
DM
x8 components
DQ[7:0]
DQS
DQS
RDQS
RDQS
DM
x16 components
DQ[7:0]
DQ[15:8]
LDQS
LDQS
UDQS
UDQS
LDM
UDM
X
X
0
X
X
X
X
0
X
0
X
X
1
1
0
X
X
X
0
X
0
X
X
X
X
相關PDF資料
PDF描述
HYB18T512800AF-3.7 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512800AF-3S 512-Mbit DDR2 SDRAM
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HYB18T512800AC-5 M39012 MIL RF CONNECTOR
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參數描述
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