參數(shù)資料
型號: HYB18T512400AF-3
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述: 512-Mbit DDR2 SDRAM
中文描述: 512兆位DDR2 SDRAM的
文件頁數(shù): 88/117頁
文件大?。?/td> 2102K
代理商: HYB18T512400AF-3
HYB18T512[40/80/16]0AF–[3/3S/3.7/5]
512-Mbit DDR2 SDRAM
AC & DC Operating Conditions
Data Sheet
88
Rev. 1.3, 2005-01
09112003-SDM9-IQ3P
Figure 69
Reduced Strength Default Pull–down Driver Diagram
5.7
Input / Output Capacitance
Table 40
Input / Output Capacitance
Symbol
Parameter
DDR2-400 &
DDR-2-533
Min.
1.0
1.0
2.5
DDR2-667
Unit
Max.
2.0
0.25
2.0
0.25
4.0
Min.
1.0
1.0
2.5
Max.
2.0
0.25
2.0
0.25
3.5
CCK
CDCK
CI
CDI
CIO
Input capacitance, CK and CK
Input capacitance delta, CK and CK
Input capacitance, all other input-only pins
Input capacitance delta, all other input-only pins
Input/output capacitance,
DQ, DM, DQS, DQS, RDQS, RDQS
Input/output capacitance delta,
DQ, DM, DQS, DQS, RDQS, RDQS
pF
pF
pF
pF
pF
CDIO
0.5
0.5
pF
S OY
0
10
20
30
40
50
60
P
70
80
0
0,2
0,4
0,6
0,8
1
1,2
1,4
1,6
1,8
2
VOUT to VSSQ (V)
VOUT to VSSQ (V)
P
Minimum
Nominal Default Low
No
Maximum
IBIS Target High
Maximum
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
0,2
0,4
0,6
1,4
1,6
1,8
2
Minimum
IBIS Target Low
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PDF描述
HYB18T512400AF-3S 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512800AF-3 512-Mbit DDR2 SDRAM
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