參數(shù)資料
型號： HYB18T512400AF-3
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 512-Mbit DDR2 SDRAM
中文描述： 512兆位DDR2 SDRAM的
文件頁數(shù)： 21/117頁
文件大?。?/td> 2102K
代理商： HYB18T512400AF-3
Data Sheet
21
Rev. 1.3, 2005-01
09112003-SDM9-IQ3P
HYB18T512[40/80/16]0AF–[3/3S/3.7/5]
512-Mbit DDR2 SDRAM
Pin Configuration and Block Diagrams
Figure 2
Pin Configuration for
×
8 components, P-TFBGA-60 (top view)
Note:
1. RDQS / RDQS are enabled by EMRS(1) command.
2. If RDQS / RDQS is enabled, the DM function is
disabled
3. When enabled, RDQS & RDQS are used as strobe
signals during reads.
4.
V
DDL
and
V
SSDL
are power and ground for the DLL.
They are isolated on the device from
V
DD
,
V
DDQ
,
V
SS
and
V
SSQ
.
5. Ball position L8 is A13 for 512-Mbit and is Not
Connected on 256-Mbit.
-004
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB18T512400AF-3S 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512800AF-3 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512800AF-3.7 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512800AF-3S 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512800AC-37 M39012 MIL RF CONNECTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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