參數(shù)資料
型號： HYB18T512400AF-3
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 512-Mbit DDR2 SDRAM
中文描述： 512兆位DDR2 SDRAM的
文件頁數(shù)： 38/117頁
文件大小： 2102K
代理商： HYB18T512400AF-3
HYB18T512[40/80/16]0AF–[3/3S/3.7/5]
512-Mbit DDR2 SDRAM
Functional Description
Data Sheet
38
Rev. 1.3, 2005-01
09112003-SDM9-IQ3P
For proper operation of adjust mode, WL = RL - 1 =
AL + CL - 1 clocks and
t
DS
/
t
DH
should be met as shown
in
Figure 10
. Input data pattern for adjustment, DT[0:3]
is fixed and not affected by MRS addressing mode (i.e.
sequential or interleave). Burst length of 4 have to be
programmed in the MRS for OCD impedance
adjustment.
Figure 10
Timing Diagram Adjust Mode
Drive Mode
Both Drive(1) and Drive(0) are used for controllers to
measure DDR2 SDRAM Driver impedance before OCD
impedance adjustment. In this mode, all outputs are
driven out
t
OIT
after “enter drive mode” command and all
output drivers are turned-off
t
OIT
after “OCD calibration
mode exit” command. See
Figure 11
.
Figure 11
Timing Diagram Drive Mode
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
EMRS(1)
CMD
DQ_in
NOP
tWR
DQS_in
CK, CK
WL
EMRS(1)
NOP
DM
DQS
OCD adjust mode
OCD calibration
mode exit
tDS
tDH
DT0
DT1
DT2
DT3
OCD1
NOP
NOP
NOP
NOP
EMRS(1)
CMD
DQ_in
NOP
DQS_in
CK, CK
EMRS(1)
NOP
Enter Drive Mode
OCD calibration
mode exit
NOP
DQS high & DQS low for Drive(1), DQS low & DQS high for Drive 0
DQS high for Drive(0)
DQS high for Drive(1)
tOIT
tOIT
相關PDF資料
PDF描述
HYB18T512400AF-3S 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512800AF-3 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512800AF-3.7 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512800AF-3S 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512800AC-37 M39012 MIL RF CONNECTOR
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參數(shù)描述
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