參數(shù)資料
型號(hào)： HYB18T512400AF-3
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 512-Mbit DDR2 SDRAM
中文描述： 512兆位DDR2 SDRAM的
文件頁數(shù)： 104/117頁
文件大?。?/td> 2102K
代理商： HYB18T512400AF-3
HYB18T512[40/80/16]0AF–[3/3S/3.7/5]
512-Mbit DDR2 SDRAM
Electrical Characteristics
Data Sheet
104
Rev. 1.3, 2005-01
09112003-SDM9-IQ3P
Min.
2
t
AC.MIN
t
AC.MIN
+ 2 ns
2.5
t
AC.MIN
t
AC.MIN
+ 2 ns
7.3
ODT AC Electrical Characteristics
Table 55
Symbol
ODT AC Electrical Characteristics and Operating Conditions for DDR2-667
Parameter / Condition
Values
Min.
2
t
AC.MIN
t
AC.MIN
+ 2 ns
2.5
t
AC.MIN
t
AC.MIN
+ 2 ns
Unit
Note
Max.
2
t
AC.MAX
+ 0.7 ns
2
t
CK +
t
AC.MAX
+ 1 ns
2.5
t
AC.MAX
+ 0.6 ns
2.5
t
CK +
t
AC.MAX
+ 1 ns ns
—
—
t
AOND
t
AON
t
AONPD
t
AOFD
t
AOF
t
AOFPD
t
ANPD
t
AXPD
ODT turn-on delay
ODT turn-on
ODT turn-on (Power-Down Modes)
ODT turn-off delay
ODT turn-off
ODT turn-off (Power-Down Modes)
ODT to Power Down Mode Entry Latency 3
ODT Power Down Exit Latency
t
CK
ns
ns
t
CK
ns
1)
1) ODT turn on time min. is when the device leaves high impedance and ODT resistance begins to turn on. ODT turn on time
max is when the ODT resistance is fully on. Both are measure from
t
AOND
.
2) ODT turn off time min. is when the device starts to turn off ODT resistance. ODT turn off time max is when the bus is in high
impedance. Both are measured from
t
AOFD
.
2)
t
CK
t
CK
8
Table 56
Symbol
ODT AC Electrical Characteristics and Operating Conditions for DDR2-533 and DDR2-400
Parameter / Condition
Values
Unit
Note
Max.
2
t
AC.MAX
+ 1 ns
2
t
CK +
t
AC.MAX
+ 1 ns
2.5
t
AC.MAX
+ 0.6 ns
2.5
t
CK +
t
AC.MAX
+ 1 ns ns
—
—
t
AOND
t
AON
t
AONPD
t
AOFD
t
AOF
t
AOFPD
t
ANPD
t
AXPD
ODT turn-on delay
ODT turn-on
ODT turn-on (Power-Down Modes)
ODT turn-off delay
ODT turn-off
ODT turn-off (Power-Down Modes)
ODT to Power Down Mode Entry Latency 3
ODT Power Down Exit Latency
t
CK
ns
ns
t
CK
ns
1)
1) ODT turn on time min. is when the device leaves high impedance and ODT resistance begins to turn on. ODT turn on time
max is when the ODT resistance is fully on. Both are measure from
t
AOND
.
2) ODT turn off time min. is when the device starts to turn off ODT resistance. ODT turn off time max is when the bus is in high
impedance. Both are measured from
t
AOFD
.
2)
t
CK
t
CK
8
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB18T512400AF-3S 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512800AF-3 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512800AF-3.7 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512800AF-3S 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512800AC-37 M39012 MIL RF CONNECTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYB18T512400AF-5 制造商:Intersil Corporation 功能描述:SDRAM, DDR, 128M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA
HYB18T512400BF-3S 制造商:Qimonda 功能描述:
HYB18T512800AF-3S 制造商:Qimonda 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:32M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84
HYB18T512800BF-2.5 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T512800BF-3.7 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF)
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*