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參數資料
| 型號： | HYB18T512400AF-3 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 512兆位DDR2 SDRAM的 |
| 文件頁數： | 13/117頁 |
| 文件大?。?/td> | 2102K |
| 代理商： | HYB18T512400AF-3 |
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Data Sheet
13
Rev. 1.3, 2005-01
09112003-SDM9-IQ3P
HYB18T512[40/80/16]0AF–[3/3S/3.7/5]
512-Mbit DDR2 SDRAM
Overview
1.3
Ordering Information
Note:For product nomenclature see
Chapter 10
of this data sheet
Table 3
Part Number
Ordering Information for RoHS compliant products
Org. Speed
CAS
1)
RCD
2)
RP
3)
Latencies
1) CAS: Column Adress Strobe
2) RCD: Row Column Delay
3) RP: Row Precharge
Clock
(MHz)
200
CAS
1)
RCD
2)
RP
3)
Latencies
—
Clock
(MHz)
—
Package
HYB18T512400AF–5
HYB18T512800AF–5
HYB18T512160AF–5
HYB18T512400AF–3.7
×
4
HYB18T512800AF–3.7
×
8
HYB18T512160AF–3.7
×
16
HYB18T512400AF–3
HYB18T512800AF–3
HYB18T512160AF–3
HYB18T512400AF–3S
HYB18T512800AF–3S
HYB18T512160AF–3S
×
4
×
8
×
16
DDR2–400 3–3–3
P-TFBGA-60
P-TFBGA-84
P-TFBGA-60
DDR2–533 4–4–4
266
3–3–3
200
P-TFBGA-84
P-TFBGA-60
×
4
×
8
×
16
×
4
×
8
×
16
DDR2–667 4–4–4
333
3–3–3
200
P-TFBGA-84
P-TFBGA-60
5–5–5
333
4–4–4
266
P-TFBGA-84
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB18T512400AF-3S | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512800AF-3 | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512800AF-3.7 | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512800AF-3S | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512800AC-37 | M39012 MIL RF CONNECTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HYB18T512400AF-5 | 制造商:Intersil Corporation 功能描述:SDRAM, DDR, 128M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T512400BF-3S | 制造商:Qimonda 功能描述: |
| HYB18T512800AF-3S | 制造商:Qimonda 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:32M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84 |
| HYB18T512800BF-2.5 | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應商設備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) |
| HYB18T512800BF-3.7 | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應商設備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
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