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參數(shù)資料
| 型號： | HYB18T512160AF |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 512兆位DDR2 SDRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 96/117頁 |
| 文件大?。?/td> | 2102K |
| 代理商： | HYB18T512160AF |
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HYB18T512[40/80/16]0AF–[3/3S/3.7/5]
512-Mbit DDR2 SDRAM
Currents Measurement Specifications and Conditions
Data Sheet
96
Rev. 1.3, 2005-01
09112003-SDM9-IQ3P
6.1.1
On Die Termination (ODT) Current
The ODT function adds additional current consumption
to the DDR2 SDRAM when enabled by the EMRS(1).
Depending on address bits A6 & A2 in the EMRS(1) a
full or reduced termination can be selected. The current
consumption for any terminated input pin depends on
whether the input pin is in tri-state or driving “0” or “1”,
as long a ODT is enabled during a given period of time..
See
Table 50
Note:For power consumption calculations the ODT duty cycle has to be taken into account
Table 50
ODT Current
Enabled ODT current per DQ
added
I
DDQ
current for ODT enabled;
ODT is HIGH; Data Bus inputs are floating
ODT current per terminated input pin
EMRS(1) State
A6 = 0, A2 = 1
A6 = 1, A2 = 0
A6 = 1, A2 = 1
A6 = 0, A2 = 1
A6 = 1, A2 = 0
A6 = 1, A2 = 0
Min.
5
2.5
7.5
10
5
15
Typ.
6
3
9
12
6
18
Max.
7.5
3.75
11.25
15
7.5
22.5
Unit
mA/DQ
mA/DQ
mA/DQ
mA/DQ
mA/DQ
mA/DQ
I
ODTO
Active ODT current per DQ
added
I
DDQ
current
for ODT enabled;
ODT is HIGH; worst case of Data Bus inputs are
stable or switching.
I
ODTT
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB18T512160AF-3 | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512160AF-3.7 | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512160AF-3S | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512400AF-3 | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512400AF-3S | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| HYB18T512400AF-5 | 制造商:Intersil Corporation 功能描述:SDRAM, DDR, 128M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T512400BF-3S | 制造商:Qimonda 功能描述: |
| HYB18T512800AF-3S | 制造商:Qimonda 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:32M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84 |
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