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參數(shù)資料
| 型號： | HYB18T512160AF |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 512兆位DDR2 SDRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 87/117頁 |
| 文件大?。?/td> | 2102K |
| 代理商： | HYB18T512160AF |
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Data Sheet
87
Rev. 1.3, 2005-01
09112003-SDM9-IQ3P
HYB18T512[40/80/16]0AF–[3/3S/3.7/5]
512-Mbit DDR2 SDRAM
AC & DC Operating Conditions
Figure 68
Reduced Strength Default Pull-up Driver Diagram
Table 39
Voltage (V)
Reduced Strength Default Pull–down Driver Characteristics
Pull-down Driver Current [mA]
Min.
1)
IBIS Target low
2)
0.00
0.00
1.72
3.24
3.44
6.25
5.16
9.03
6.76
11.52
8.02
13.66
8.84
15.41
9.31
16.77
9.64
17.74
9.89
18.83
10.09
18.80
10.26
19.06
10.41
19.23
10.54
19.35
10.66
19.46
10.77
19.56
10.88
19.65
10.98
19.73
—
19.80
—
—
1) The driver characteristics evaluation conditions are Minimum 95 °C (
T
CASE
),
V
DDQ
= 1.7 V, slow-slow process
2) The driver characteristics evaluation conditions are Nominal Default 25 °C (
T
CASE
),
V
DDQ
= 1.8 V, typical process
3) The driver characteristics evaluation conditions are Maximum 0 °C (
T
CASE
).
V
DDQ
= 1.9 V, fast-fast process
IBIS Target high
2)
0.00
4.11
8.01
11.67
15.03
18.03
20.61
22.71
24.35
25.56
26.38
26.90
27.24
27.47
27.64
27.78
27.89
27.97
28.02
—
Max.
3)
0.00
4.77
9.54
14.31
19.08
23.85
28.62
33.33
37.77
41.73
45.21
48.21
50.73
52.77
54.42
55.80
57.03
58.23
59.43
60.63
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
-80,00
-60,00
-40,00
-20,00
0,00
0
0,2
0,4
0,6
0,8
1
1,2
1,4
1,6
1,8
2
VDDQ to VOUT (V)
P
Minimum
IBIS Target Low
IBIS Target High
Maximum
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB18T512160AF-3 | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512160AF-3.7 | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512160AF-3S | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512400AF-3 | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512400AF-3S | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB18T512161BF-25 | 制造商:Qimonda 功能描述:SDRAM, DDR, 32M x 16, 84 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T512400AF-5 | 制造商:Intersil Corporation 功能描述:SDRAM, DDR, 128M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T512400BF-3S | 制造商:Qimonda 功能描述: |
| HYB18T512800AF-3S | 制造商:Qimonda 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:32M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84 |
| HYB18T512800BF-2.5 | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) |
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