參數(shù)資料
型號: HYB18T512160AF
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述: 512-Mbit DDR2 SDRAM
中文描述: 512兆位DDR2 SDRAM的
文件頁數(shù): 13/117頁
文件大?。?/td> 2102K
代理商: HYB18T512160AF
Data Sheet
13
Rev. 1.3, 2005-01
09112003-SDM9-IQ3P
HYB18T512[40/80/16]0AF–[3/3S/3.7/5]
512-Mbit DDR2 SDRAM
Overview
1.3
Ordering Information
Note:For product nomenclature see
Chapter 10
of this data sheet
Table 3
Part Number
Ordering Information for RoHS compliant products
Org. Speed
CAS
1)
RCD
2)
RP
3)
Latencies
1) CAS: Column Adress Strobe
2) RCD: Row Column Delay
3) RP: Row Precharge
Clock
(MHz)
200
CAS
1)
RCD
2)
RP
3)
Latencies
Clock
(MHz)
Package
HYB18T512400AF–5
HYB18T512800AF–5
HYB18T512160AF–5
HYB18T512400AF–3.7
×
4
HYB18T512800AF–3.7
×
8
HYB18T512160AF–3.7
×
16
HYB18T512400AF–3
HYB18T512800AF–3
HYB18T512160AF–3
HYB18T512400AF–3S
HYB18T512800AF–3S
HYB18T512160AF–3S
×
4
×
8
×
16
DDR2–400 3–3–3
P-TFBGA-60
P-TFBGA-84
P-TFBGA-60
DDR2–533 4–4–4
266
3–3–3
200
P-TFBGA-84
P-TFBGA-60
×
4
×
8
×
16
×
4
×
8
×
16
DDR2–667 4–4–4
333
3–3–3
200
P-TFBGA-84
P-TFBGA-60
5–5–5
333
4–4–4
266
P-TFBGA-84
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB18T512160AF-3 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512160AF-3.7 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512160AF-3S 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512400AF-3 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512400AF-3S 512-Mbit DDR2 SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYB18T512161BF-25 制造商:Qimonda 功能描述:SDRAM, DDR, 32M x 16, 84 Pin, Plastic, BGA
HYB18T512400AF-5 制造商:Intersil Corporation 功能描述:SDRAM, DDR, 128M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA
HYB18T512400BF-3S 制造商:Qimonda 功能描述:
HYB18T512800AF-3S 制造商:Qimonda 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:32M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84
HYB18T512800BF-2.5 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF)