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參數(shù)資料
| 型號： | HYB18T512160AF |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 512兆位DDR2 SDRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 107/117頁 |
| 文件大?。?/td> | 2102K |
| 代理商： | HYB18T512160AF |
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Data Sheet
107
Rev. 1.3, 2005-01
09112003-SDM9-IQ3P
HYB18T512[40/80/16]0AF–[3/3S/3.7/5]
512-Mbit DDR2 SDRAM
AC Timing Measurement Conditions
8.3.3
Data input setup time (
t
DS1
) with single-ended data
strobe enabled MR[bit10]=1, is referenced from the
input signal crossing at the
V
IH(ac)
level to the single-
ended data strobe crossing
V
IH/L(dc)
at the start of its
transition for a rising signal, and from the input signal
crossing at the
V
IL(ac)
level to the single-ended data
strobe crossing
V
IH/L(dc)
at the start of its transition for a
falling signal applied to the device under test.
Data input hold time (
t
DH1
) with single-ended data
strobe enabled MR[bit10]=1, is referenced from the
Definition Data Setup (
t
DS1
) and Hold Time (
t
DH1
), Single-Ended Data Strobes
input signal crossing at the
V
IH(dc)
level to the single-
ended data strobe crossing
V
IH/L(ac)
at the end of its
transition for a rising signal and from the input signal
crossing at the
V
IL(dc)
level to the single-ended data
strobe crossing
V
IH/L(ac)
at the end of its transition for a
falling signal applied to the device under test.
The DQS signal must be monotonic between
V
IL(dc.MAX
and
V
IH(dc).MIN
.
Figure 75
Data Setup and Hold Time (Single Ended Data Strobes)
tDS
tDH
tDS
tDH
V
DDQ
V
IH(ac)
min
V
IH(dc)
min
V
REF
V
IL(dc)
max
V
IL(ac)
max
V
SS
V
DDQ
V
IH(ac)
min
V
IH(dc)
min
V
REF
V
IL(dc)
max
V
IL(ac)
max
V
SS
DQS
DQ
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB18T512160AF-3 | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512160AF-3.7 | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512160AF-3S | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512400AF-3 | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512400AF-3S | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB18T512161BF-25 | 制造商:Qimonda 功能描述:SDRAM, DDR, 32M x 16, 84 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T512400AF-5 | 制造商:Intersil Corporation 功能描述:SDRAM, DDR, 128M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T512400BF-3S | 制造商:Qimonda 功能描述: |
| HYB18T512800AF-3S | 制造商:Qimonda 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:32M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84 |
| HYB18T512800BF-2.5 | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) |
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