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參數(shù)資料
| 型號： | HYB18T512160AF |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 512兆位DDR2 SDRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 55/117頁 |
| 文件大?。?/td> | 2102K |
| 代理商： | HYB18T512160AF |
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Data Sheet
55
Rev. 1.3, 2005-01
09112003-SDM9-IQ3P
HYB18T512[40/80/16]0AF–[3/3S/3.7/5]
512-Mbit DDR2 SDRAM
Functional Description
Figure 34
Seamless Write Operation Example 1
RL = 5, WL = 4, BL = 4
The seamless write operation is supported by enabling a write command every BL/2 number of clocks. This
operation is allowed regardless of same or different banks as long as the banks are activated.
Figure 35
Seamless Write Operation Example 2
RL = 3, WL = 2, BL = 8, non interrupting
The seamless non interrupting 8-bit write operation is supported by enabling a write command at every BL/2
number of clocks. This operation is allowed regardless of same or different banks as long as the banks are
activated.
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
DIN A0
DIN A1
DIN A2
DIN A3
WRITE A
Posted CAS
WL = RL - 1 = 4
WRITE B
Posted CAS
DIN B0
DIN B1
DIN B2
DIN B3
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
CMD
DQ
SBR
DQS,
DQS
CK, CK
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
W RITE A
W L = RL - 1 = 2
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
CMD
DQ
SBW_BL8
DQS,
DQS
W RITE B
DIN A0 DIN A1 DIN A2 DIN A3 DIN A4 DIN A5 DIN A5 DIN A7
DIN B0 DIN B1 DIN B2 DIN B3 DIN B4 DIN B5 DIN
CK, CK
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB18T512160AF-3 | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512160AF-3.7 | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512160AF-3S | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512400AF-3 | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512400AF-3S | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB18T512161BF-25 | 制造商:Qimonda 功能描述:SDRAM, DDR, 32M x 16, 84 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T512400AF-5 | 制造商:Intersil Corporation 功能描述:SDRAM, DDR, 128M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T512400BF-3S | 制造商:Qimonda 功能描述: |
| HYB18T512800AF-3S | 制造商:Qimonda 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:32M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84 |
| HYB18T512800BF-2.5 | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) |
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