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參數(shù)資料
| 型號： | HYB18T512160AF |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 512兆位DDR2 SDRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 6/117頁 |
| 文件大?。?/td> | 2102K |
| 代理商： | HYB18T512160AF |
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HYB18T512[40/80/16]0AF–[3/3S/3.7/5]
512-Mbit DDR2 SDRAM
Data Sheet
6
Rev. 1.3, 2005-01
09112003-SDM9-IQ3P
5.3
5.4
5.5
5.5.1
5.6
5.7
5.8
5.9
DC & AC Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79
Output Buffer Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81
Full Strength Output V-I Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82
Calibrated Output Driver V-I Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84
Reduced Output Drive Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86
Input / Output Capacitance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88
Power & Ground Clamp V-I Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89
Overshoot and Undershoot Specification . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89
6
6.1
6.1.1
Currents Measurement Specifications and Conditions
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 91
I
DD
Test Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95
On Die Termination (ODT) Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 96
7
7.1
7.2
7.3
Electrical Characteristics
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97
Speed Grade Defenitions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97
AC Timing Parameters . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 98
ODT AC Electrical Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104
8
8.1
8.2
8.2.1
8.2.2
8.3
8.3.1
8.3.2
8.3.3
8.3.4
8.3.5
AC Timing Measurement Conditions
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 105
Reference Load for Timing Measurements . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 105
Slew Rate Measurement Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 105
Output Slew Rate . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 105
Input Slew Rate - Differential signals . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 105
Input and Data Setup and Hold Time . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106
Definition for Input Setup (
t
IS
) and Hold Time (
t
IH
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106
Definition for Data Setup (
t
DS
) and Hold Time (
t
DH
), differential Data Strobes . . . . . . . . . . . . . . . 106
Definition Data Setup (
t
DS1
) and Hold Time (
t
DH1
), Single-Ended Data Strobes . . . . . . . . . . . . . . 107
Slew Rate Definition for Input and Data Setup and Hold Times . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 108
Setup (
t
IS
) and Hold (
t
IH
) Time Derating Tables . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110
Package Dimensions
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 114
9
10
Product Namenclature
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 116
Table of Contents
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB18T512160AF-3 | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512160AF-3.7 | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512160AF-3S | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512400AF-3 | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512400AF-3S | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB18T512161BF-25 | 制造商:Qimonda 功能描述:SDRAM, DDR, 32M x 16, 84 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T512400AF-5 | 制造商:Intersil Corporation 功能描述:SDRAM, DDR, 128M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T512400BF-3S | 制造商:Qimonda 功能描述: |
| HYB18T512800AF-3S | 制造商:Qimonda 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:32M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84 |
| HYB18T512800BF-2.5 | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應商設備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) |
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