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參數(shù)資料
| 型號： | HYB18T512160AF |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 512兆位DDR2 SDRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 7/117頁 |
| 文件大?。?/td> | 2102K |
| 代理商： | HYB18T512160AF |
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HYB18T512[40/80/16]0AF–[3/3S/3.7/5]
512-Mbit DDR2 SDRAM
Data Sheet
7
Rev. 1.3, 2005-01
09112003-SDM9-IQ3P
Table 1
Table 2
Table 3
Table 4
Table 5
Table 6
Table 7
Table 8
Table 9
Table 10
Table 11
Table 12
Table 13
Table 14
Table 15
Table 16
Table 17
Table 18
Table 19
Table 20
Table 21
Table 22
Table 23
Table 24
Table 25
Table 26
Table 27
Table 28
Table 29
Table 30
Table 31
Table 32
Table 33
Table 34
Table 35
Table 36
Table 37
Table 38
Table 39
Table 40
Table 41
Table 42
Table 43
Table 44
Table 45
Table 46
Table 47
Table 48
Table 49
Table 50
Table 51
Table 52
Table 53
High Performance DDR667 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
High Performance for DDR2–400B and DDR2–533C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
Ordering Information for RoHS compliant products . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
Pin Configuration of DDR SDRAM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
Abbreviations for Pin Type . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
Abbreviations for Buffer Type . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
512 Mbit DDR2 Addressing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
Mode Register Definition (BA[2:0] = 000B). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
Extended Mode Register Definition (BA[2:0] = 001B) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
Single-ended and Differential Data Strobe Signals . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
EMRS(2) Programming Extended Mode register Definition (BA[2:0]=010
B
) . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
EMR(3) Programming Extended Mode Register Definition (BA[2:0]=010
B
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
Off Chip Driver Program. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
Off-Chip-Driver Adjust Program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
ODT Truth Table . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
Burst Length and Sequence. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
Bank Selection for Precharge by Address Bits. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
Minimum Command Delays . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
Command Delay Table . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
Command Truth Table . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75
Clock Enable (CKE) Truth Table for Synchronous Transitions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76
Data Mask (DM) Truth Table . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76
Absolute Maximum Ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77
DRAM Component Operating Temperature Range . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77
Recommended DC Operating Conditions (SSTL_18) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78
ODT DC Electrical Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78
Input and Output Leakage Currents . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78
DC & AC Logic Input Levels. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79
Single-ended AC Input Test Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79
Differential DC and AC Input and Output Logic Levels . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80
SSTL_18 Output DC Current Drive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81
SSTL_18 Output AC Test Conditions. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81
OCD Default Characteristics. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81
Full Strength Default Pull-up Driver Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82
Full Strength Default Pull–down Driver Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83
Full Strength Calibrated Pull-down Driver Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85
Full Strength Calibrated Pull-up Driver Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85
Reduced Strength Default Pull-up Driver Characteristics. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86
Reduced Strength Default Pull–down Driver Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 87
Input / Output Capacitance. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88
Power & Ground Clamp V-I Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89
AC Overshoot / Undershoot Specification for Address and Control Pins. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89
AC Overshoot / Undershoot Specification for Clock, Data, Strobe and Mask Pins . . . . . . . . . . . . 90
I
DD
Measurement Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 91
Definition for
I
DD
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 92
I
DD
Specification for DDR2–667C and DDR2-667D . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 93
I
DD
Specification for DDR2–533C and DDR2–400B. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 94
I
DD
Measurement Test Conditions for DDR2–667C and DDR2–667D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95
I
DD
Measurement Test Condition for DDR2–533C and DDR2–400B. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 96
ODT current per terminated input pin. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 96
Speed Grade Definition Speed Bins for DDR667 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97
Speed Grade Definition Speed Bins for DDR533 and DDR400 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97
Timing Parameter by Speed Grade - DDR2-667 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 98
List of Tables
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB18T512160AF-3 | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512160AF-3.7 | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512160AF-3S | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512400AF-3 | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512400AF-3S | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB18T512161BF-25 | 制造商:Qimonda 功能描述:SDRAM, DDR, 32M x 16, 84 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T512400AF-5 | 制造商:Intersil Corporation 功能描述:SDRAM, DDR, 128M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T512400BF-3S | 制造商:Qimonda 功能描述: |
| HYB18T512800AF-3S | 制造商:Qimonda 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:32M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84 |
| HYB18T512800BF-2.5 | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) |
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