- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370782 > HYB18T512160AF-3 (INFINEON TECHNOLOGIES AG) 512-Mbit DDR2 SDRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | HYB18T512160AF-3 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 512兆位DDR2 SDRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 56/117頁 |
| 文件大?。?/td> | 2102K |
| 代理商： | HYB18T512160AF-3 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁當(dāng)前第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁
HYB18T512[40/80/16]0AF–[3/3S/3.7/5]
512-Mbit DDR2 SDRAM
Functional Description
Data Sheet
56
Rev. 1.3, 2005-01
09112003-SDM9-IQ3P
3.20
One write data mask input (DM) for
×
4 and
×
8
components and two write data mask inputs (LDM,
UDM) for
×
16 components are supported on DDR2
SDRAM’s, consistent with the implementation on DDR
SDRAM’s. It has identical timings on write operations
as the data bits, and though used in a uni-directional
manner, is internally loaded identically to data bits to
Write Data Mask
insure matched system timing. Data mask is not used
during read cycles. If DM is HIGH during a write burst
coincident with the write data, the write data bit is not
written to the memory. For
×
8 components the DM
function is disabled, when RDQS / RDQS are enabled
by EMRS(1).
Figure 36
Write Data Mask Timing
Figure 37
Write Operation with Data Mask Example
RL = 3 (AL = 0, CL = 3), WL = 2,
t
WR
= 3, BL = 4
-044
$13 $13
T$13(
T$13,
T702%
7034
T
$1
$IN
$ IN
$ IN
$ IN
T
$3
$(
T
$-
DONgT CARE
-044
#,+
#,+
4
4
4
4
4
4
4
4
4
./0
./0
./0
./0
./ 0
0RECHARGE
$IN
!
$ N
!
$IN
!
$IN
!
#-$
$13
$13
$1
4
4
7,
2,
./0
"ANK !
!CTIVATE
./0
7R TE !
./0
T
$133
T
72
T
20
$-
4
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB18T512160AF-3.7 | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512160AF-3S | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512400AF-3 | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512400AF-3S | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512800AF-3 | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB18T512161BF-25 | 制造商:Qimonda 功能描述:SDRAM, DDR, 32M x 16, 84 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T512400AF-5 | 制造商:Intersil Corporation 功能描述:SDRAM, DDR, 128M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T512400BF-3S | 制造商:Qimonda 功能描述: |
| HYB18T512800AF-3S | 制造商:Qimonda 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:32M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84 |
| HYB18T512800BF-2.5 | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。