參數(shù)資料
型號: HYB18T512160AF-3
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述: 512-Mbit DDR2 SDRAM
中文描述: 512兆位DDR2 SDRAM的
文件頁數(shù): 44/117頁
文件大小: 2102K
代理商: HYB18T512160AF-3
HYB18T512[40/80/16]0AF–[3/3S/3.7/5]
512-Mbit DDR2 SDRAM
Functional Description
Data Sheet
44
Rev. 1.3, 2005-01
09112003-SDM9-IQ3P
Mode exit
As long as the timing parameter
t
AXPD.MIN
is satisfied
when ODT is turned on or off after exiting these power-
down modes, synchronous timing parameters can be
applied. If
t
AXPD.MIN
is not satisfied, asynchronous timing
parameters apply.
Figure 16
ODT Mode Exit Timing Diagram
CKE
tAXPD
ODT04
ODT turn-off, tAXPD >= tAXPDmin:
Rtt
Rtt
tAONPDmax
T0
T1
T5
T6
T7
T8
t
IS
Synchronous
timings apply
T9
ODT turn-off, tAXPD < tAXPDmin:
Asynchronous
timings apply
ODT
tAOFD
Rtt
ODT
tAOFPDmax
Rtt
ODT turn-on, tAXPD >= tAXPDmin:
Synchronous
timings apply
tAOND
t
IS
t
IS
ODT
t
IS
ODT
t
IS
ODT turn-on, tAXPD < tAXPDmin:
Asynchronous
timings apply
T10
CK,
CK
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB18T512160AF-3.7 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512160AF-3S 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512400AF-3 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512400AF-3S 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512800AF-3 512-Mbit DDR2 SDRAM
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參數(shù)描述
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