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參數(shù)資料
| 型號： | HYB18T512160AF-3 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 512兆位DDR2 SDRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 40/117頁 |
| 文件大小： | 2102K |
| 代理商： | HYB18T512160AF-3 |
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HYB18T512[40/80/16]0AF–[3/3S/3.7/5]
512-Mbit DDR2 SDRAM
Functional Description
Data Sheet
40
Rev. 1.3, 2005-01
09112003-SDM9-IQ3P
ODT Truth Tables
The ODT Truth Table shows which of the input pins are
terminated depending on the state of address bit A10
and A11 in the EMRS(1) for all three device
organisations (
×
4,
×
8 and
×
16). To activate termination
of any of these pins, the ODT function has to be
enabled in the EMRS(1) by address bits A6 and A2.
Note:X = don’t care; 0 = bit set to low; 1 = bit set to high
Table 15
Input Pin
ODT Truth Table
EMRS(1)
Address Bit A10
EMRS(1)
Address Bit A11
x4 components
DQ[3:0]
DQS
DQS
DM
x8 components
DQ[7:0]
DQS
DQS
RDQS
RDQS
DM
x16 components
DQ[7:0]
DQ[15:8]
LDQS
LDQS
UDQS
UDQS
LDM
UDM
X
X
0
X
X
X
X
0
X
0
X
X
1
1
0
X
X
X
0
X
0
X
X
X
X
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB18T512160AF-3.7 | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512160AF-3S | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512400AF-3 | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512400AF-3S | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512800AF-3 | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB18T512161BF-25 | 制造商:Qimonda 功能描述:SDRAM, DDR, 32M x 16, 84 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T512400AF-5 | 制造商:Intersil Corporation 功能描述:SDRAM, DDR, 128M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T512400BF-3S | 制造商:Qimonda 功能描述: |
| HYB18T512800AF-3S | 制造商:Qimonda 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:32M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84 |
| HYB18T512800BF-2.5 | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) |
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