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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HB52R2569E2 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 2 GB Registered SDRAM DIMM(2GB 寄存同步DRAM DIMM) |
| 中文描述： | 2 GB的注冊(cè)SDRAM的內(nèi)存（2GB的寄存同步的DRAM內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 16/23頁 |
| 文件大小： | 207K |
| 代理商： | HB52R2569E2 |
HB52R2569E2-A6B/B6B
16
Capacitance
(Ta = 25
°
C, V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V)
Parameter
Symbol
Max
Unit
Notes
Input capacitance (Address)
Input capacitance (
RE
,
CE
,
W
)
C
I1
C
I2
C
I3
C
I4
C
I5
C
I6
C
I/O1
25
pF
1, 2, 4
25
pF
1, 2, 4
Input capacitance (CKE)
Input capacitance (
S
)
25
pF
1, 2, 4
20
pF
1, 2, 4
Input capacitance (CK)
45
pF
1, 2, 4
Input capacitance (DQMB)
20
pF
1, 2, 4
Input/Output capacitance (DQ)
Notes: 1. Capacitance measured with Boonton Meter or effective capacitance measuring method.
2. Measurement condition: f = 1 MHz, 1.4 V bias, 200 mV swing.
3. DQMB = V
IH
to disable Data-out.
4. This parameter is sampled and not 100% tested.
35
pF
1, 2, 3, 4
AC Characteristics
(Ta = 0 to 55
°
C, V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V, V
SS
= 0 V)
HB52R2569E2
-A6B/B6B
Parameter
HITACHI
Symbol
PC100
Symbol
Min
Max
Unit
Notes
System clock cycle time
(
CE
latency = 3)
(
CE
latency = 4)
t
CK
Tclk
10
—
ns
1
t
CK
t
CKH
t
CKL
t
AC
Tclk
10
—
ns
CK high pulse width
Tch
4
—
ns
1
CK low pulse width
Tcl
4
—
ns
1
Access time from CK
(
CE
latency = 3)
(
CE
latency = 4)
Tac
—
7.5
ns
1, 2
t
AC
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
DS
t
DH
t
AS
t
AH
t
CES
t
CESP
Tac
—
7.5
ns
Data-out hold time
Toh
2.1
—
ns
1, 2
CK to Data-out low impedance
1.1
—
ns
1, 2, 3
CK to Data-out high impedance
—
7.5
ns
1, 4
Data-in setup time
Tsi
2.9
—
ns
1
Data in hold time
Thi
3.4
—
ns
1
Address setup time
Tsi
4.1
—
ns
1
Address hold time
Thi
3.0
—
ns
1, 5
CKE setup time
Tsi
4.1
—
ns
1, 5
CKE setup time for power down exit
Tpde
4.1
—
ns
1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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參數(shù)描述 |
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