參數(shù)資料
型號： FDMC3300NZA
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Monolithic Common Drain N-Channel 2.5V Specified PowerTrench
中文描述： 8 A, 20 V, 0.026 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： 3.30 X 3.30 MM, ROHS COMPLIANT, MLP-8
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大?。?/td> 279K
代理商： FDMC3300NZA
F
FDMC3300NZA RevB
www.fairchildsemi.com
4
Figure 7. Gate Charge Characteri
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
2
4
6
8
V
DD
=15V
V
DD
=10V
V
DD
=5V
I
D
=8A
V
G
,
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
stics
Figure 8. Capacitance Characteristics
0.1
1
10
100
1000
C
RSS
C
OSS
C
ISS
f = 1MHz
V
GS
= 0V
C
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
20
50
Figure 9.
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
DC
1S
10S
100mS
10mS
1mS
RDSON LIMITED
I
D
,
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE(V)
V
GS
=4.5V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
=108
°
C/W
T
A
=25
°
C
100
μ
S
Safe Operating Area
Figure 10. Maximum Continuous Drain Current vs
Ambient Temperature
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
R
θ
JA
=108
°
C/W
V
GS
=4.5V
I
D
,
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE
(
°
C
)
V
GS
=2.5V
Figure 11.
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
1
10
100
1000
P
(
,
t, Rectangular Pulse Duration(S)
Single Maximum Power Dissipation
SINGLE PULSE
R
θ
JA
=108
°
C/W
T
A
=25
°
C
Typical Characteristics
T
J
= 25°C unless otherwise noted
相關PDF資料
PDF描述
FDMC5614P P-Channel PowerTrench MOSFET
FDMC6890NZ 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDMC8554 N-Channel Power Trench MOSFET 20V, 16.5A, 5mohm
FDMC8854 N-Channel Power Trench MOSFET 30V, 15A, 5.7mohm
FDMC8878 N-Channel Power Trench MOSFET 30V, 16.5A, 14mohm
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參數(shù)描述
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FDMC4435BZ_F125 功能描述:MOSFET -30V P-CH PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDMC4435BZ_F126 功能描述:MOSFET -30V P-CH PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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