參數(shù)資料
型號： FDMC2523P_07
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： P-Channel QFET -150V, -3A, 1.5ヘ
中文描述： P通道QFET - 150伏，三號甲，1.5ヘ
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大?。?/td> 177K
代理商： FDMC2523P_07
F
FDMC2523P Rev.C
www.fairchildsemi.com
4
Figure 7. Gate Charge Characteristics
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
Figure 10. Forward Bias Safe
Operating Area
Figure 11. Single Pulse Maximum Power Dissipation
Typical Characteristics
T
J
= 25°C unless otherwise noted
0
2
4
6
8
0
2
4
6
8
10
I
D
= -3A
V
DD
= -75V
V
DD
= -100V
V
DD
= -50V
-
G
,
Q
g
, GATE CHARGE(nC)
0
25
50
75
100
125
150
1
10
100
1000
C
iss
f = 1MHz
V
GS
= 0V
C
-V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
rss
C
oss
10
-2
10
-1
10
0
10
1
1
6
0.5
20
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
I
A
,
t
AV
, TIME IN AVALANCHE
(
μ
s
)
1
10
100
1E-3
0.01
0.1
1
10
10s
DC
100us
1ms
10ms
100ms
1s
D
,
V
DS
, DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
40
SINGLE PULSE
T
J
= MAX RATED
R
θ
JA
= 135
T
A
= 25
o
C
o
C/W
400
r
DS(on)
LIMITED
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
1
10
100
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 135
o
C/W
0.5
P
(
P
)
,
t, PULSE WIDTH (s)
500
T
A
= 25
o
C
I = I
25
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25
o
C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
150
-----------------------
T
A
–
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PDF描述
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