參數(shù)資料
型號(hào)： FDMB3800N_0610
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： Dual N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 30V, 4.8A, 40mз
中文描述： 雙N溝道PowerTrench MOSFET的30V的㈢，4.8A，40mз
文件頁(yè)數(shù)： 6/7頁(yè)
文件大?。?/td> 324K
代理商： FDMB3800N_0610
F
M
FDMB3800N Rev.C1
www.fairchildsemi.com
6
Dimensional Outline and Pad Layout
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDMB3800N 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDMB506P P-Channel 1.8V Logic Level PowerTrench MOSFET
FDMB668P P-Channel 1.8V Logic Level PowerTrench MOSFET -20V, -6.1A, 35mohm
FDMC2523P_07 P-Channel QFET -150V, -3A, 1.5ヘ
FDMC2523P P-Channel QFET -150V, -3A, 1.5ohm
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDMB3900AN 功能描述:MOSFET 25V Dual N-Chanenl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDMB506P 功能描述:MOSFET LOW_VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDMB668P 功能描述:MOSFET -20V P-Ch 1.8V Lgic Lvl PT MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDMC0205 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
FDMC0222 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
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