參數(shù)資料
型號： FDMB3800N_0610
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： Dual N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 30V, 4.8A, 40mз
中文描述： 雙N溝道PowerTrench MOSFET的30V的㈢，4.8A，40mз
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大?。?/td> 324K
代理商： FDMB3800N_0610
F
M
FDMB3800N Rev.C1
www.fairchildsemi.com
4
Figure 7.
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
6
7
8
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
Gate Charge Characteristics
V
G
,
I
D
= 4.8A
V
DS
= 10V
20V
15V
Figure 8.
0
100
200
300
400
500
600
0
4
8
12
16
20
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Capacitance vs Drain
to Source Voltage
C
C
iss
C
rss
C
oss
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
Figure 9.
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
DC
10s
1s
100ms
r
DS(on)
LIMIT
V
GS
= 10V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 165
o
C/W
T
J
= 25
o
C
10ms
1ms
100us
Forward Bias Safe
Operating Area
Figure 10.
Current vs Ambient Temperature
0
1
2
3
4
5
6
25
50
75
100
125
150
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE (
o
C)
I
D
,
V
GS
= 10V
V
GS
= 4.5V
R
θ
JA
= 80°C/W
Maximum Continuous Drain
Figure 11. Single Pulse Maximum Power Dissipation
0
0.0001
30
60
90
120
150
180
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t, PULSE WIDTH (s)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 165°C/W
T
A
= 25°C
Typical Characteristics
T
J
= 25°C unless otherwise noted
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDMB3800N 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDMB506P P-Channel 1.8V Logic Level PowerTrench MOSFET
FDMB668P P-Channel 1.8V Logic Level PowerTrench MOSFET -20V, -6.1A, 35mohm
FDMC2523P_07 P-Channel QFET -150V, -3A, 1.5ヘ
FDMC2523P P-Channel QFET -150V, -3A, 1.5ohm
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDMB3900AN 功能描述:MOSFET 25V Dual N-Chanenl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDMB506P 功能描述:MOSFET LOW_VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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FDMC0205 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
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