參數(shù)資料
型號(hào)： FDMB3800N_0610
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： Dual N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 30V, 4.8A, 40mз
中文描述： 雙N溝道PowerTrench MOSFET的30V的㈢，4.8A，40mз
文件頁(yè)數(shù)： 3/7頁(yè)
文件大?。?/td> 324K
代理商： FDMB3800N_0610
F
M
FDMB3800N Rev.C1
www.fairchildsemi.com
3
Typical Characteristics
T
J
= 25°C unless otherwise noted
Figure 1.
0
2
4
6
8
10
0
0.25
0.5
0.75
1
1.25
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
On Region Characteristics
I
D
,
2.5V
4.5V
V
GS
= 10V
3.0V
3.5V
6.0V
Figure 2.
vs Drain Current and Gate Voltage
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
2.6
2.8
0
2
4
6
8
10
I
, DRAIN CURRENT (A)
Normalized On - Resistance
N
D
V
GS
= 3.0V
6.0V
4.5V
10V
4.0V
3.5V
Figure 3. Normalized On - Resistance
vs Junction Temperature
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
N
I
D
= 4.8A
V
GS
= 10V
Figure 4.
0.022
0.032
0.042
0.052
0.062
0.072
0.082
0.092
0.102
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
On- Resistance vs Gate to
Source Voltage
D
I
D
= 2.4A
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
Figure 5. Transfer Characteristics
0
3
6
9
12
15
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
T
J
= -55
o
C
25
o
C
125
o
C
V
DS
= 5V
Figure 6.
Forward Voltage vs Source Current
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Source to Drain Diode
I
S
,
T
J
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDMB3800N 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDMB506P P-Channel 1.8V Logic Level PowerTrench MOSFET
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FDMC2523P P-Channel QFET -150V, -3A, 1.5ohm
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參數(shù)描述
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