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參數(shù)資料
| 型號： | EDX5116ADSE-3C-E |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512M bits XDR⑩ DRAM |
| 中文描述： | 32M X 16 RAMBUS, PBGA104 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, FBGA-104 |
| 文件頁數(shù)： | 55/78頁 |
| 文件大?。?/td> | 3311K |
| 代理商： | EDX5116ADSE-3C-E |
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Data Sheet E1033E30 (Ver. 3.0)
55
EDX5116ADSE
Figure 45
X DR DRAM Block Diagram w ith Bank S ets
1
1:2 Demux
Reg
12
RQ11..0
1:16 Demux
16:1 Mux
16/t
CC
ACT
decode
.
Bank 0
1
ACT
ACT
ROW
1
1
PRE
PRE
PRE
decode
ROW
Sense Amp 0
1
1
R/W
R/W
COL
COL
COL
decode
.
.
.
.
Bank Array
16x16*2
6
*2
12
Sense Amp Array
16x16*2
6
.
.
Dynamic Width Demux (WR)
16x16
DQ15..0
DQN15..0
16
16
16
16
16/t
CC
16x16*2
6
16x16
16x16
16x16
S0[15:0][15:0]
3
3
3
6
12
(2
3
-2)
Bank
(2
3
-2)
Sense Amp
6
6
16x16*2
6
12
12
16
D[15:0][15:0]
16
16x16
16x16
Q[15:0][15:0]
Dynamic Width Mux (RD)
Byte Mask (WR)
.
1
.
Bank 1
.
1
ACT
ACT
ROW
1
1
PRE
PRE
ROW
Sense Amp 1
.
1
1
R/W
R/W
COL
.
COL
Bank Array
16x16*2
6
*2
12
Sense Amp Array
16x16*2
6
16x16*2
6
.
16x16
16x16
(2
3
-1)
Bank
-1)
Sense Amp
6
6
16x16*2
6
12
12
S1[15:0][15:0]
Odd
Even
ACT logic
.
PRE logic
.
COL logic
.
.
.
.
WR even
WR odd
RD odd
RD even
.
.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDX5116ADSE-4D-E | 512M bits XDR⑩ DRAM |
| EDX5116ADSE-3A-E | 512M bits XDR⑩ DRAM |
| EDZ20B | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| EDZ22B | LED 5MM 563NM HI GRN WATER CLEAR |
| EDZ24B | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EDX5116ADSE-4D-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits XDR⑩ DRAM |
| EDXSPECTRUMDAT/5962R8773901VDA | 制造商:Analog Devices 功能描述:SPECTRUM ANALYSIS - Literature |
| EDXSPECTRUMDATA/F8853801VGA | 制造商:Analog Devices 功能描述:DATA - Literature |
| EDXSPECTRUMDATA/R8512701VZA | 制造商:Analog Devices 功能描述:DATA - Literature |
| EDXSPECTRUMDATA/R9468002VHA | 制造商:Analog Devices 功能描述:DATA - Literature |
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