參數(shù)資料
型號(hào)： COP8CCR9LVA8
廠商： National Semiconductor
文件頁數(shù)： 24/111頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC MCU EEPROM 8BIT 68-PLCC
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 18
系列： COP8™ 8C
核心處理器： COP8
芯體尺寸： 8-位
速度： 20MHz
連通性： Microwire/Plus（SPI），UART/USART
外圍設(shè)備： 欠壓檢測(cè)/復(fù)位，POR，PWM，WDT
輸入/輸出數(shù)： 59
程序存儲(chǔ)器容量： 32KB（32K x 8）
程序存儲(chǔ)器類型： 閃存
RAM 容量： 1K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 2.7 V ~ 5.5 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 16x10b
振蕩器型： 內(nèi)部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 68-LCC（J 形引線）
包裝： 管件
其它名稱： *COP8CCR9LVA8
SNOS535I – OCTOBER 2000 – REVISED MARCH 2013
Table 1-1. Device included in this datasheet:
Flash Program
RAM
Brownout
I/O
Device
Memory
Packages
Temperature
(bytes)
Voltage
Pins
(bytes)
44 WQFN,
COP8CBR9
32k
1k
2.7V to 2.9V
37,39,49, 59
44/68 PLCC,
40°C to +85°C
48/56 TSSOP
44 WQFN,
40°C to +85°C
COP8CCR9
32k
1k
4.17V to 4.5V
37,39,49, 59
44/68 PLCC,
40°C to +125°C
48/56 TSSOP
44 WQFN,
40°C to +85°C
COP8CDR9
32k
1k
No Brownout
37,39,49, 59
44/68 PLCC,
40°C to +125°C
48/56 TSSOP
These devices have limited built-in ESD protection. The leads should be shorted together or the device placed in conductive foam
during storage or handling to prevent electrostatic damage to the MOS gates.
2
Introduction
Copyright 2000–2013, Texas Instruments Incorporated
Product Folder Links: COP8CBR9 COP8CCR9 COP8CDR9
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PDF描述
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