參數(shù)資料
型號： BUK664R4-55C
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel TrenchMOS intermediate level FET
中文描述： 100 A, 55 V, 0.0077 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 8/16頁
文件大小： 216K
代理商： BUK664R4-55C
BUK664R4-55C
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Product data sheet
Rev. 03 — 21 December 2010
8 of 16
NXP Semiconductors
BUK664R4-55C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Fig 7.
Transfer characteristics: drain current as a
function of gate-source voltage; typical values
Fig 8.
Drain-source on-state resistance as a function
of gate-source voltage; typical values
Fig 9.
Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage
Fig 10. Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature
003aae854
0
40
80
120
160
0
1
2
3
4
5
V
GS
(V)
I
D
(A)
T
j
= 25
°
C
T
j
= 175
°
C
003aae857
0
5
10
15
20
0
5
10
15
20
V
GS
(V)
R
DSon
(m
Ω
)
003aad806
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
I
D
(A)
0
1
2
3
4
V
GS
(V)
max
typ
min
003aae542
0
1
2
3
4
-60
0
60
120
180
T
j
(
°
C)
V
GS(th)
(V)
max @1mA
typ @1mA
min @2.5mA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK664R6-40C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK664R8-75C N-channel TrenchMOS FET
BUK6C1R5-40C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK6E2R0-30C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
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參數(shù)描述
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BUK664R8-75C 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH75V120ASOT404 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,75V,120A,SOT404
BUK664R8-75C,118 功能描述:MOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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