參數(shù)資料
型號(hào)： BUK664R4-55C
廠(chǎng)商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： N-channel TrenchMOS intermediate level FET
中文描述： 100 A, 55 V, 0.0077 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 10/16頁(yè)
文件大?。?/td> 216K
代理商： BUK664R4-55C
BUK664R4-55C
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Product data sheet
Rev. 03 — 21 December 2010
10 of 16
NXP Semiconductors
BUK664R4-55C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Fig 15. Normalized drain-source on-state resistance
factor as a function of junction temperature
Fig 16. Gate-source voltage as a function of gate
charge; typical values
T
j
= 25°C; I
D
= 25 A
Fig 18. Gate-source voltage as a function of gate
charge; typical values
Fig 17. Gate charge waveform definitions
003aad803
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-60
0
60
120
180
T
j
(
°
C)
a
003aaf019
0
2
4
6
8
10
V
GS
(V)
0
10
20
30
40
Q
G
(nC)
V
DS
= 6V
15V
24V
003aaa508
V
GS
V
GS(th)
Q
GS1
Q
GS2
Q
GD
V
DS
Q
G(tot)
I
D
Q
GS
V
GS(pl)
003aae713
0
2
4
6
8
10
0
50
100
150
Q
G
(nC)
V
GS
(V)
V
DS
= 14 V
V
DS
= 44 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK664R6-40C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK664R8-75C N-channel TrenchMOS FET
BUK6C1R5-40C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK6E2R0-30C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK6E2R3-40C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
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參數(shù)描述
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BUK664R8-75C,118 功能描述:MOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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