參數(shù)資料
型號： BUK664R4-55C
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel TrenchMOS intermediate level FET
中文描述： 100 A, 55 V, 0.0077 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 5/16頁
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代理商： BUK664R4-55C
BUK664R4-55C
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Product data sheet
Rev. 03 — 21 December 2010
5 of 16
NXP Semiconductors
BUK664R4-55C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
5.
Thermal characteristics
Table 5.
Symbol
R
th(j-mb)
Thermal characteristics
Parameter
thermal resistance from junction to
mounting base
Conditions
see
Figure 4
Min
-
Typ
-
Max
0.74
Unit
K/W
Fig 4.
Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of pulse duration
single shot
0.2
0.1
0.05
0.02
10
3
10
2
10
1
1
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
tp (s)
Z
th(j-mb)
(K/W)
δ
= 0.5
003aae531
t
p
t
p
T
T
P
t
δ
=
10
6
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PDF描述
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