參數(shù)資料
型號(hào)： BUK664R4-55C
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel TrenchMOS intermediate level FET
中文描述： 100 A, 55 V, 0.0077 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 4/16頁(yè)
文件大?。?/td> 216K
代理商： BUK664R4-55C
BUK664R4-55C
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Product data sheet
Rev. 03 — 21 December 2010
4 of 16
NXP Semiconductors
BUK664R4-55C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Fig 1.
Continuous drain current as a function of
mounting base temperature
Fig 2.
Normalized total power dissipation as a
function of mounting base temperature
T
mb
= 25 °C; I
DM
is a single pulse
Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage
Fig 3.
003aae850
0
50
100
150
200
0
50
100
150
200
T
mb
(
°
C)
I
D
(A)
(1)
T
mb
(
°
C)
0
200
150
50
100
03aa16
40
80
120
P
der
(%)
0
003aae707
10
-1
1
10
10
2
10
3
10
4
I
D
(A)
10
-1
1
10
10
2
V
DS
(V)
Limit R
DSon
= V
DS
/ I
D
DC
100
μ
s
10 ms
100 ms
t
p
= 10
μ
s
1 ms
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PDF描述
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參數(shù)描述
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