參數(shù)資料
型號(hào)： BUK664R4-55C
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel TrenchMOS intermediate level FET
中文描述： 100 A, 55 V, 0.0077 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 11/16頁(yè)
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代理商： BUK664R4-55C
BUK664R4-55C
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Product data sheet
Rev. 03 — 21 December 2010
11 of 16
NXP Semiconductors
BUK664R4-55C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig 19. Input, output and reverse transfer capacitances
as a function of drain-source voltage; typical
values
V
GS
= 0 V
Fig 20. Source (diode forward) current as a function of
source-drain (diode forward) voltage; typical
values
003aae714
10
2
10
3
10
4
10
2
10
1
1
10
10
2
V
DS
(V)
C
(pF)
C
iss
C
rss
C
oss
10
5
003aae716
0
40
80
120
160
0
0.4
0.8
1.2
V
SD
(V)
I
S
(A)
T
j
= 25
°
C
T
j
= 175
°
C
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PDF描述
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參數(shù)描述
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BUK664R8-75C 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH75V120ASOT404 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,75V,120A,SOT404
BUK664R8-75C,118 功能描述:MOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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