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參數(shù)資料
| 型號： | W25Q80BVSSIG |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 8M X 1 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| 封裝： | 0.208 INCH, GREEN, PLASTIC, SOIC-8 |
| 文件頁數(shù)： | 19/75頁 |
| 文件大?。?/td> | 1055K |
| 代理商： | W25Q80BVSSIG |
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W25Q80BV
- 26 -
9.2.11 Fast Read (0Bh)
The Fast Read instruction is similar to the Read Data instruction except that it can operate at the highest
possible frequency of FR (see AC Electrical Characteristics). This is accomplished by adding eight
“dummy” clocks after the 24-bit address as shown in figure 10. The dummy clocks allow the devices
internal circuits additional time for setting up the initial address. During the dummy clocks the data value
on the DO pin is a “don’t care”.
/CS
CLK
DI
(IO
0)
DO
(IO
1)
Mode 0
Mode 3
0
1
2
3
4
5
6
7
Instruction (0Bh)
High Impedance
8
9
10
28
29
30
31
24-Bit Address
23
22
21
3
2
1
0
Data Out 1
0
DO
(IO
1)
*
/CS
CLK
DI
(IO )
32
33
34
35
36
37
38
39
Dummy Clocks
40
41
42
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
High Impedance
7
6
5
4
3
2
1
0
7
43
31
0
= MSB
*
Data Out 2
*
7
6
5
4
3
2
1
0
*
Figure 10. Fast Read Instruction Sequence Diagram
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WED7G416IDE33ADC25 | 26M X 16 FLASH 3.3V PROM, DMA144 |
| W3HG64M72EEU806PD4IGG | 64M X 72 DDR DRAM MODULE, DMA200 |
| W3EG7262S265D3 | DDR DRAM MODULE, DMA184 |
| W7NCF08GH10CS3JM1G | FLASH 3.3V PROM MODULE, XMA50 |
| W7NCF08GH10CSA8HM1G | FLASH 3.3V PROM MODULE, XMA50 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W25Q80BVSSIG TR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:SPIFLASH, 8M-BIT, 4KB UNIFORM 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC FLASH 8MBIT 104MHZ 8SOIC |
| W25Q80BVSSIG/REELS | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述: |
| W25Q80BVSSIG-T | 制造商:Winbond Electronics 功能描述:8MB SPI FLASH |
| W25Q80BVSSIP | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:8M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q80BVZPAG | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:8M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
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