參數(shù)資料
型號(hào)： W25B20-VSNIG
廠商： WINBOND ELECTRONICS CORP
元件分類： PROM
英文描述： 2M X 1 FLASH 2.7V PROM, PDSO8
封裝： 0.150 INCH, GREEN, PLASTIC, SOIC-8
文件頁(yè)數(shù)： 9/36頁(yè)
文件大?。?/td> 1424K
代理商： W25B20-VSNIG
W25B40/W25B40A
Publication Release Date: January 6, 2006
- 17 -
Revision M
8.2.7
Read Data (03h)
The Read Data instruction allows one or more data bytes to be sequentially read from the memory.
The instruction is initiated by driving the /CS pin low and then shifting the instruction code “03h”
followed by a 24-bit address (A23-A0) into the DI pin. The code and address bits are latched on the
rising edge of the CLK pin. After the address is received, the data byte of the addressed memory
location will be shifted out on the DO pin at the falling edge of CLK with most significant bit (MSB) first.
The address is automatically incremented to the next higher address after each byte of data is shifted
out allowing for a continuous stream of data. This means that the entire memory can be accessed with
a single instruction as long as the clock continues. The instruction is completed by driving /CS high.
The Read Data instruction sequence is shown in figure 8. If a Read Data instruction is issued while an
Erase, Program or Write cycle is in process (BUSY=1) the instruction is ignored and will not have any
effects on the current cycle. The Read Data instruction allows clock rates from D.C. to a maximum of
fR (see AC Electrical Characteristics).
Figure 8. Read Data Instruction Sequence Diagram
相關(guān)PDF資料
PDF描述
W25P80-VSFI-G 8M X 1 FLASH 2.7V PROM, PDSO16
W25Q16VSFIG 2M X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO16
W25Q32DWZPIP 256K X 16 SPI BUS SERIAL EEPROM, 7.5 ns, PDSO8
W25Q80VZPIG 1M X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, DSO8
W25X16AVDAIZ 2M X 8 FLASH 2.7V PROM, PDIP8
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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W25B40A 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:4M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH BOOT AND PARAMETER SECTORS
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