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參數(shù)資料
| 型號： | W25B20-VSNIG |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 2M X 1 FLASH 2.7V PROM, PDSO8 |
| 封裝： | 0.150 INCH, GREEN, PLASTIC, SOIC-8 |
| 文件頁數(shù)： | 25/36頁 |
| 文件大?。?/td> | 1424K |
| 代理商： | W25B20-VSNIG |
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W25B40/W25B40A
Publication Release Date: January 6, 2006
- 31 -
Revision M
9.7 AC Electrical Characteristics (Preliminary) cont’d
SPEC
DESCRIPTION
SYMBOL
ALT
MIN
TYP
MAX
UNIT
/HOLD Active Hold Time relative to CLK
tCHHH
5
ns
/HOLD Not Active Setup Time relative to CLK
tHHCH
5
ns
/HOLD Not Active Hold Time relative to CLK
tCHHL
5
ns
/HOLD to Output Low-Z
tHHQX(2)
tLZ
9
ns
/HOLD to Output High-Z
tHLQZ(2)
tHZ
9
ns
Write Protect Setup Time Before /CS Low
tWHSL(4)
20
ns
Write Protect Hold Time After /CS High
tSHWL(4)
100
ns
/CS High to Power-down Mode
tDP(2)
3
s
/CS High to Standby Mode without Electronic
Signature Read
tRES1(2)
3
s
/CS High to Standby Mode with Electronic
Signature Read
tRES2(2)
1.8
s
Write Status Register Cycle Time
tW
10
15
ms
Page Program Cycle Time
tPP
2
5
ms
Sector Erase Cycle Time 64KB sectors
tSE
0.65
2
s
Sector Erase Cycle Time 32KB sectors
0.37
1
s
Sector Erase Cycle Time 16KB sectors
0.23
0.7
s
Sector Erase Cycle Time 8KB sectors
0.15
0.45
s
Sector Erase Cycle Time 4KB sectors
0.12
0.35
s
Chip Erase Cycle Time
tCE
5.5
10
s
Notes:
1. Clock high + Clock low must be less than or equal to 1/fC.
2. Value guaranteed by design and/or characterization, not 100% tested in production.
3. Expressed as a slew-rate.
4. Only applicable as a constraint for a Write Status Register instruction when Sector Protect Bit is set at 1.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W25P80-VSFI-G | 8M X 1 FLASH 2.7V PROM, PDSO16 |
| W25Q16VSFIG | 2M X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO16 |
| W25Q32DWZPIP | 256K X 16 SPI BUS SERIAL EEPROM, 7.5 ns, PDSO8 |
| W25Q80VZPIG | 1M X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, DSO8 |
| W25X16AVDAIZ | 2M X 8 FLASH 2.7V PROM, PDIP8 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W25B40 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:4M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH BOOT AND PARAMETER SECTORS |
| W25B40A | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:4M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH BOOT AND PARAMETER SECTORS |
| W25B40AVSNIG | 功能描述:IC FLASH 4MBIT 40MHZ 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:SpiFlash® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 |
| W25B40AVSNIG T&R | 功能描述:IC FLASH 4MBIT 40MHZ 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:SpiFlash® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 |
| W25B40VSNIG | 功能描述:IC FLASH 4MBIT 40MHZ 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:SpiFlash® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 |
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