參數(shù)資料
型號(hào)： V58C365164S5
廠(chǎng)商： MOSEL-VITELIC
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 4M X 16 DDR DRAM, 0.1 ns, PDSO66
封裝： 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-66
文件頁(yè)數(shù)： 6/44頁(yè)
文件大?。?/td> 507K
代理商： V58C365164S5
14
V58C365164S Rev. 1.5 November 2001
MOSEL VITELIC
V58C365164S
Precharge TimingDuringReadOperation
For the earliest possible Precharge command without interrupting a Read burst, the Precharge command
may be issued on the rising clock edge which is CAS latency (CL) clock cycles before the end of the Read
burst. A new Bank Activate (BA) command may be issued to the same bank after the RAS precharge time
(t
RP). A Precharge command can not be issued until tRAS(min) is satisfied.
Read with Precharge Timing as a Function of CAS Latency
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
D0
D1
D2
D3
NOP
Read
NOP
PreA
NOP
BA
NOP
CK, CK
Command
DQS
DQ
tRAS(min)
tRP(min)
BA
NOP
T9
D0
D1
D2
D3
DQS
DQ
D0
D1
D2
D3
DQS
DQ
CAS Latency=2
CAS Latency=2.5
CAS Latency=3
(CAS Latency = 2, 2.5, 3; Burst Length = 4)
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PDF描述
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