參數(shù)資料
型號： TMS44409P
廠商： Texas Instruments, Inc.
英文描述： 1048576-WORD BY 4-BIT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORY
中文描述： 1048576字4位動態(tài)隨機存取存儲器
文件頁數(shù)： 10/26頁
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代理商： TMS44409P
TMS44409, TMS44409P
1048576-WORD BY 4-BIT
DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORY
SMHS563 – JULY1995
10
POST OFFICE BOX 1443
HOUSTON, TEXAS 77251–1443
PARAMETER MEASUREMENT INFORMATION
1.31 V
VCC = 5 V
R1
828
R2
295
RL
218
CL = 100 pF
(see Note A)
Output Under Test
Output Under Test
CL = 100 pF
(see Note A)
(b) ALTERNATE LOAD CIRCUIT
(a) LOAD CIRCUIT
NOTE A: CL includes probe and fixture capacitance.
Figure 1. Load Circuits for Timing Parameters
RAS
CAS
A0–A9
W
OE
DQ1–DQ4
tRC
Row
Column
Don’t Care
Don’t Care
Don’t Care
Don’t Care
Don’t Care
Valid Data Out
tRAS
tRP
tCSH
tT
tRCD
tRSH
tCRP
tCAS
tRAD
tASC
tRAL
tASR
tRCS
tCAH
tRRH
tRCH
tCAC
tCEZ
tAA
tCLZ
tRAC
tOEA
tROH
tOEZ
tCP
See Note A
Hi-Z
tRAH
tREZ
tWEZ
tWPE
tCAL
NOTE A: Output can go from the high-impedance state to an invalid-data state prior to the specified access time.
Figure 2. Read-Cycle Timing
A
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PDF描述
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