參數(shù)資料
型號: TE28F640P30B85
廠商: INTEL CORP
元件分類: DRAM
英文描述: Intel StrataFlash Embedded Memory
中文描述: 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 85 ns, PDSO56
封裝: 14 X 20 MM, TSOP-56
文件頁數(shù): 8/102頁
文件大?。?/td> 1609K
代理商: TE28F640P30B85
1-Gbit P30 Family
April 2005
8
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
Datasheet
1.3
Conventions
RFU :
Reserved for Future Use
SR :
Status Register
WSM :
Write State Machine
VCC :
Signal or voltage connection
V
CC
:
0x :
Signal or voltage level
Hexadecimal number prefix
0b :
Binary number prefix
SR[4] :
Denotes an individual register bit.
A[15:0] :
Denotes a group of similarly named signals, such as address
or data bus.
A5 :
Denotes one element of a signal group membership, such as
an individual address bit.
Bit :
Binary unit
Byte :
Eight bits
Word :
Two bytes, or sixteen bits
Kbit :
1024 bits
KByte :
1024 bytes
KWord :
1024 words
Mbit :
1,048,576 bits
MByte :
1,048,576 bytes
MWord :
1,048,576 words
相關PDF資料
PDF描述
TE28F640P30T85 Intel StrataFlash Embedded Memory
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參數(shù)描述
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TE28F640P30T85 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Embedded Memory
TE28F640P30T85A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz,400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:CAV24C32WE-GT3OSTR
TE28F640P33B85A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA(6x8) 包裝:帶卷 (TR)
TE28F640P33T85A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 標準包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?(單線) 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬) 供應商設備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)