參數(shù)資料
型號： TE28F640P30B85
廠商： INTEL CORP
元件分類： DRAM
英文描述： Intel StrataFlash Embedded Memory
中文描述： 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 85 ns, PDSO56
封裝： 14 X 20 MM, TSOP-56
文件頁數(shù)： 14/102頁
文件大?。?/td> 1609K
代理商： TE28F640P30B85
1-Gbit P30 Family
April 2005
14
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
Datasheet
Figure 4.
256-Mbit, 88-ball (80 active) QUAD+ SCSP Specifications (8x11x1.0 mm)
Millimeters
Nom
-
-
0.740
0.350
11.00
8.00
0.80
88
-
1.200
1.100
Inches
Nom
-
-
0.0291
0.0138
0.4331
0.3150
0.0315
88
-
0.0472
0.0433
Dimensions
Package Height
Ball Height
Package Body Thickness
Ball (Lead) Width
Package Body Length
Package Body Width
Pitch
Ball (Lead) Count
Seating Plane Coplanarity
Corner to Ball A1 Distance Along E
Corner to Ball A1 Distance Along D
Symbol
A
A1
A2
b
D
E
e
N
Y
S1
S2
Min
-
0.117
-
0.300
10.900
7.900
-
-
-
1.100
1.000
Max
1.000
-
-
0.400
11.100
8.100
-
-
0.100
1.300
1.200
Min
-
0.0046
-
0.0118
0.4291
0.3110
-
-
-
0.0433
0.0394
Max
0.0394
-
-
0.0157
0.4370
0.3189
-
-
0.0039
0.0512
0.0472
Top View - Ball Down
Bottom View - Ball Up
A
A2
D
E
Y
A1
Drawing not to scale.
S2
S1
A
C
B
E
D
G
F
J
K
H
L
M
e
1
2
3
4
5
6
7
8
b
A
C
B
E
D
G
F
J
K
H
L
M
A1 Index
Mark
1
2
3
4
5
6
7
8
Note: Dimensions A1, A2, and b are preliminary
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TE28F640P30T85 Intel StrataFlash Embedded Memory
TE28F128P30B85 Intel StrataFlash Embedded Memory
TE28F160B3-B120 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE
TE28F800B3-B120 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE
TE28F400B3-B120 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE
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參數(shù)描述
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TE28F640P30T85 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Embedded Memory
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TE28F640P33B85A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
TE28F640P33T85A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 標準包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
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