參數(shù)資料
型號： TE28F640P30B85
廠商： INTEL CORP
元件分類： DRAM
英文描述： Intel StrataFlash Embedded Memory
中文描述： 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 85 ns, PDSO56
封裝： 14 X 20 MM, TSOP-56
文件頁數(shù)： 18/102頁
文件大?。?/td> 1609K
代理商： TE28F640P30B85
1-Gbit P30 Family
April 2005
18
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
Datasheet
Notes:
1.
2.
3.
4.
A1 is the least significant address bit.
A23 is valid for 128-Mbit densities and above; otherwise, it is a no connect (NC).
A24 is valid for 256-Mbit densities and above; otherwise, it is a no connect (NC).
A25 is valid for 512-Mbit densities; otherwise, it is a no connect (NC).
Figure 8.
64-Ball Easy BGA Ballout (64/128/256/512-Mbit)
1
8
2
3
4
5
6
7
Easy BGA
Top View- Ball side down
Easy BGA
Bottom View- Ball side up
1
8
2
3
4
5
6
7
H
G
F
E
D
C
B
A
H
G
F
E
D
C
A
A2
VSS
A9
A14
CE#
A19
RFU
A25
RFU
VSS
VCC
DQ13
VSS
DQ7
A24
VSS
A3
A7
A10
A15
A12
A20
A21
WP#
A4
A5
A11
VCCQ
RST#
A16
A17
VCCQ
RFU
DQ8
DQ1 DQ9
DQ4
DQ3
DQ15
CLK
RFU
OE#
DQ0 DQ10
DQ12
DQ11
WAIT
ADV#
WE#
A23
RFU
DQ2
DQ5
VCCQ
DQ14
DQ6
A1
A6
A8
A13
VPP
A18
A22
VCC
A23
A4
A5
A11
VCCQ RST#
A16
A17
VCCQ
A1
A6
A8
A13
VPP
A18
A22
VCC
A3
A7
A10
A15
A12
A20
A21
WP#
RFU
DQ8
DQ1
DQ9
DQ4
DQ3
DQ15
CLK
RFU
OE#
DQ0
DQ10
DQ12 DQ11
WAIT ADV#
WE#
RFU
DQ2
DQ5 VCCQ
DQ14 DQ6
A2
VSS
A9
A14
CE#
A19
RFU
A25
RFU
VSS
VCC
DQ13 VSS
DQ7
A24
VSS
B
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PDF描述
TE28F640P30T85 Intel StrataFlash Embedded Memory
TE28F128P30B85 Intel StrataFlash Embedded Memory
TE28F160B3-B120 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE
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參數(shù)描述
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TE28F640P30T85 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Embedded Memory
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TE28F640P33B85A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
TE28F640P33T85A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
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