參數(shù)資料
型號: TE28F640P30B85
廠商: INTEL CORP
元件分類: DRAM
英文描述: Intel StrataFlash Embedded Memory
中文描述: 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 85 ns, PDSO56
封裝: 14 X 20 MM, TSOP-56
文件頁數(shù): 17/102頁
文件大?。?/td> 1609K
代理商: TE28F640P30B85
1-Gbit P30 Family
Datasheet
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
April 2005
17
4.0
Ballout and Signal Descriptions
4.1
Signal Ballout
Notes:
1.
2.
3.
A1 is the least significant address bit.
A23 is valid for 128-Mbit densities and above; otherwise, it is a no connect (NC).
A24 is valid for 256-Mbit densities and above; otherwise, it is a no connect (NC).
Figure 7.
56-Lead TSOP Pinout (64/128/256-Mbit)
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
56-Lead TSOP Pinout
14 mm x 20 mm
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WP#
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A8
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A24
RFU
VSS
WAIT
A17
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DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
ADV#
CLK
RST#
VPP
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A15
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DQ10
DQ2
VCCQ
DQ9
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DQ8
DQ0
VCC
OE#
VSS
CE#
A1
相關PDF資料
PDF描述
TE28F640P30T85 Intel StrataFlash Embedded Memory
TE28F128P30B85 Intel StrataFlash Embedded Memory
TE28F160B3-B120 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE
TE28F800B3-B120 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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TE28F640P30T85 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Embedded Memory
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TE28F640P33B85A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA(6x8) 包裝:帶卷 (TR)
TE28F640P33T85A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 標準包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?(單線) 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬) 供應商設備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)