參數(shù)資料
型號(hào)： TE28F640P30B85
廠商： INTEL CORP
元件分類： DRAM
英文描述： Intel StrataFlash Embedded Memory
中文描述： 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 85 ns, PDSO56
封裝： 14 X 20 MM, TSOP-56
文件頁數(shù)： 7/102頁
文件大?。?/td> 1609K
代理商： TE28F640P30B85
1-Gbit P30 Family
Datasheet
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
April 2005
7
1.0
Introduction
This document provides information about the Intel StrataFlash Embedded Memory (P30) device
and describes its features, operation, and specifications.
1.1
Nomenclature
1.2
Acronyms
1.8 V :
V
CC
(core) voltage range of 1.7 V – 2.0 V
V
CCQ
(I/O) voltage range of 1.7 V – 3.6 V
V
PP
voltage range of 8.5 V – 9.5 V
3.0 V :
9.0 V :
Block :
A group of bits, bytes,1-Gbit P30 Family or words within the
flash memory array that erase simultaneously when the Erase
command is issued to the device. The 1-Gbit P30 Family has
two block sizes: 32-KByte and 128-KByte.
Main block :
An array block that is usually used to store code and/or data.
Main blocks are larger than parameter blocks.
Parameter block :
An array block that is usually used to store frequently changing
data or small system parameters that traditionally would be
stored in EEPROM.
Top parameter device :
A device with its parameter blocks located at the highest
physical address of its memory map.
Bottom parameter device :
A device with its parameter blocks located at the lowest
physical address of its memory map.
BEFP :
Buffer Enhanced Factory Programming
CUI :
Command User Interface
MLC :
Multi-Level Cell
OTP :
One-Time Programmable
PLR :
Protection Lock Register
PR :
Protection Register
RCR :
Read Configuration Register
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TE28F640P30T85 Intel StrataFlash Embedded Memory
TE28F128P30B85 Intel StrataFlash Embedded Memory
TE28F160B3-B120 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE
TE28F800B3-B120 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE
TE28F400B3-B120 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TE28F640P30B85A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
TE28F640P30T85 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Embedded Memory
TE28F640P30T85A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz，400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:CAV24C32WE-GT3OSTR
TE28F640P33B85A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
TE28F640P33T85A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
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