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參數(shù)資料
| 型號： | NAND08GR3B2AN1F |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 1G X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 56/57頁 |
| 文件大小： | 887K |
| 代理商： | NAND08GR3B2AN1F |
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NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
8/57
Table 2. Product Description
1. Dual Die devices only
2. x16 organization only available for MCP
Figure 2. Logic Block Diagram
Reference
Part Number
Density
Bus
Width
Page
Size
Block
Size
Memory
Array
Operating
Voltage
Timings
Packages
Random
Access
(max)
Sequential
Access
(min)
Page
Program
(typ)
Block
Erase (typ)
NAND01G-B
NAND01GR3B
1Gbit
x8
2048+64
Bytes
128K+4K
Bytes
64 Pages x
1024 Blocks
1.7 to 1.95V
25s
60ns
300s
2ms
TSOP48
VFBGA63
NAND01GW3B
2.7 to 3.6V
25s
50ns
300s
NAND01GR4B
x16
(2)
1024+32
Words
64K+2K
Words
1.7 to 1.95V
25s
60ns
300s
NAND01GW4B
2.7 to 3.6V
25s
50ns
300s
NAND02G-B
NAND02GR3B
2Gbit
x8
2048+64
Bytes
128K+4K
Bytes
64 Pages x
2048 Blocks
1.7 to 1.95V
25s
60ns
300s
2ms
TSOP48
TFBGA63(1)
NAND02GW3B
2.7 to 3.6V
25s
50ns
300s
NAND02GR4B
x16(2)
1024+32
Words
64K+2K
Words
1.7 to 1.95V
25s
60ns
300s
NAND02GW4B
2.7 to 3.6V
25s
50ns
300s
NAND04G-B
NAND04GR3B
4Gbit
x8
2048+64
Bytes
128K+4K
Bytes
64 Pages x
4096 Blocks
1.7 to 1.95V
25s
60ns
300s
2ms
TSOP48
NAND04GW3B
2.7 to 3.6V
25s
50ns
300s
NAND04GR4B
x16(2)
1024+32
Words
64K+2K
Words
1.7 to 1.95V
25s
60ns
300s
NAND04GW4B
2.7 to 3.6V
25s
50ns
300s
NAND08G-B
NAND08GR3B
8Gbit
x8
2048+64
Bytes
128K+4K
Bytes
64 Pages x
8192 Blocks
1.7 to 1.95V
25s
60ns
300s
2ms
TSOP48
NAND08GW3B
2.7 to 3.6V
25s
50ns
300s
NAND08GR4B
x16(2)
1024+32
Words
64K+2K
Words
1.7 to 1.95V
25s
60ns
300s
NAND08GW4B
2.7 to 3.6V
25s
50ns
300s
Address
Register/Counter
Command
Interface
Logic
P/E/R Controller,
High Voltage
Generator
WP
I/O Buffers & Latches
I/O8-I/O15, x16
E
W
AI09373b
R
Y Decoder
Page Buffer
NAND Flash
Memory Array
X
Decoder
I/O0-I/O7, x8/x16
Command Register
CL
AL
Cache Register
RB
PRL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND04GW4B2AN1E | 256M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND02GW4B2AN1T | 128M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND04GR4B2CN1F | 256M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND08GW3B2CZL1F | 1G X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PBGA52 |
| NAND128W3A2BV6E | 16M X 8 FLASH 3V PROM, 12000 ns, PDSO48 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NAND08GR3B4CZL6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays |
| NAND08GR3B4CZL6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel |
| NAND08GW3B2AN6E | 功能描述:閃存 4 GBit 2112 Byte 1056 WP 1.8v/3v RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| NAND08GW3B2AN6F | 功能描述:閃存 4 GB 2112B 1056 Word Pg 1.8V/3V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| NAND08GW3B2BN6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND & S.MEDIA FLASH - Trays |
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