參數(shù)資料
型號： NAND08GR3B2AN1F
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： PROM
英文描述： 1G X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48
文件頁數(shù)： 24/57頁
文件大?。?/td> 887K
代理商： NAND08GR3B2AN1F
NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
30/57
Read Electronic Signature
The device contains a Manufacturer Code and De-
vice Code. To read these codes three steps are re-
quired:
1.
one Bus Write cycle to issue the Read
Electronic Signature command (90h)
2.
one Bus Write cycle to input the address (00h)
3.
four Bus Read Cycles to sequentially output
the data (as shown in Table 14., Electronic
Table 14. Electronic Signature
Part Number
Byte/Word 1
Byte/Word 2
Byte/Word 3
Byte/Word 4
Manufacturer Code
Device code
NAND01GR3B
20h
A1h
Reserved
80h
Page Size
Spare Area size
Sequential Access Time
Block Size
Organization
NAND01GW3B
F1h
NAND01GR4B
0020h
B1h
NAND01GW4B
C1h
NAND02GR3B
20h
AAh
NAND02GW3B
DAh
NAND02GR4B
0020h
BAh
NAND02GW4B
CAh
NAND04GR3B
20h
ACh
NAND04GW3B
DCh
NAND04GR4B
0020h
BCh
NAND04GW4B
CCh
NAND08GR3B
20h
A3h
NAND08GW3B
D3h
NAND08GR4B
0020h
B3h
NAND08GW4B
C3h
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND04GW4B2AN1E 256M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND02GW4B2AN1T 128M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND04GR4B2CN1F 256M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND08GW3B2CZL1F 1G X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PBGA52
NAND128W3A2BV6E 16M X 8 FLASH 3V PROM, 12000 ns, PDSO48
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參數(shù)描述
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NAND08GR3B4CZL6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel
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NAND08GW3B2AN6F 功能描述:閃存 4 GB 2112B 1056 Word Pg 1.8V/3V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
NAND08GW3B2BN6E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND & S.MEDIA FLASH - Trays
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